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国防军工行业：AIDC电源的“最后一公里”，板载电源的高密高集成化革命。AIDC 算力建设增长，热功耗增长驱动数据中心电气架构全面升级。随着北美及亚太地区 AI 市场高速增长，智 算中心（AIDC）建设进入高峰期。AI 芯片（GPU/ASIC）的 TDP（热设计功耗）呈指数级增长，以 NVIDIA B300 为例，其 TDP 已达 1400W，导致单机柜功率密度正从当前的不足 20kW 向未来的兆瓦级迈进。根据维谛 《智算中心基础设施演进白皮书》统计，目前国内单机架功耗从通算中心（传统数据中心）的 4-6kW 向智算中 心（AIDC）的 20-40kW 迈进，未来有望逐步提升至 40-120kW 甚至更高，智算中心机架呈现高功率密度趋势。 智算中心机架高密度对配电设备面积占比、电能利用率、服务器电源功率、散热效率提出更高的要求。

架构革新：AI 机柜功率密度快速提升，AIDC 电气架构有望向 800V HVDC 升级。相比 415V 交流电，800V 直 流电可在相同铜截面积下提升传输功率，显著降低电流和线缆体积，并将电源组件移出核心算力区，释放机架 空间。英伟达已在其白皮书中明确推荐 800V HVDC 作为下一代 AIDC 标配，计划 27 年启动高压化改造， 30 年规模化应用，以实现对兆瓦级机柜高效供电。微软、谷歌亦分别推出了分离式高压直流方案。HVDC 相较于 UPS 具备高转换效率、空间优化、可靠性高、灵活可扩展等优势，有望随智算中心建设逐步渗透。

低电压大电流趋势驱动板载电源架构升级，三次电源加速向高度集成化、垂直化、模块化方向演进。随着电流 飙升，电流在主板横向传输时产生的 PDN 损耗呈平方级增长，此外伴随 PCB 板上空间资源集成化，分立式器 件无法兼顾高性能与紧凑布局，进而产生板载电源两大重要趋势。（1）电源器件从“分立”走向“高度集成”： 为解决分立器件占板面积大、设计复杂的问题，DC/DC 电源正从分立方案向电源模块演进。通过将 DrMOS、 电感、电容集成于单一封装，功率密度大幅提升，简化了设计并降低了 EMI。（2）供电模式从“横向”走向“垂 直供电”：垂直供电（VPD） 是解决大电流传输损耗的终极方案。它将电压调节模块（VRM）从处理器周边移 至主板背面、处理器正下方，电流通过基板通孔“垂直”向上直达芯片焊盘。VPD 将供电路径缩短至极限，能 降低 PDN 阻抗数倍以上。Vicor、Google 等厂商已推出成熟的 VPD 模块，支持 2500-3000A 以上的电流需求。

电源 PCB 有望从单一基板角色演进为“功能化载板”，高密度集成为核心趋势。板载电源高集成度、垂直化需 求倒逼 PCB 本身发生革命性变化。（1）高密度化、无源器件嵌入：三次电源 PCB 正变得极其精密（如中富电 路在 17x23mm 尺寸内集成 14-18 层 PCB），要求 PCB 具备高多层、重铜、HDI 工艺，以承载 800W 以上功率 传输。此外为释放表面空间并缩短路径，电感、电容等被动元件正被直接埋入 PCB 内部。（2）电源模块嵌入 PCB 以实现 IVR 功能，电源 PCB 从单一基板演进为封装功能载板：集成稳压器（IVR）核心思想是将传统分 散的电源管理组件（如功率晶体管、电感和电容等）高度集成到单个芯片或封装内，其采用“近距离供电”理 念，将电压调节功能集成到处理器封装内部或直接嵌入芯片中，极大缩短了供电距离。对 PCB 而言，其需要采 用 mSAP 工艺加工更精细的线宽线距，以实现 IVR 功能的封装及嵌入，电源 PCB 未来有望承担更多封装功能。