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科技行业SEMICONKorea前线：从炸鸡店到存储超级周期。我们于 2 月 11-13 日赴韩国首尔参加 2026 SEMICON Korea 行业峰会，现 场参与三星、海力士、英伟达、日月光、Cadence 及 Lam 的 Keynote 演讲。 结合三星、海力士、ASML、Apple、联电以及谷歌、亚马逊、微软、Meta 披露的 4Q25 业绩，我们看到：1）存储原厂进入量价齐升的卖方市场，预 计 2026 年 DRAM 高涨幅仍将持续，供应端释放有限，下游通过长约锁定 需求；2）三星加速 HBM4 布局，导入 1γnm 制程、优化前端 TSV 结构， 并采用 4nm 逻辑 base die，力图重回技术领先梯队；3）科技巨头乐观 Capex 指引支撑存储景气，三星与英特尔将承接部分台积电外溢需求。我们认为， 设备端由存储扩产驱动，ASML 存储订单强于逻辑验证结构性复苏，行业景 气度随资本开支上行逐步修复。晶圆代工与封测环节议价能力增强，将受益 于 AI 算力投资扩张；成熟制程亦通过产品结构优化稳价增利。

存储：量价齐升，进入以供给约束为主导的卖方市场

我们认为存储超级周期仍是 2026 年半导体行业主线，但需关注价格上行对 下游的压力。本轮景气延续较大程度取决于需求韧性，建议重点跟踪消费电 子与数据中心需求是否出现超预期走弱。此外，“两存”上市的潜在融资扩 产亦可能影响存储中长期产能供给格局。25Q4 业绩显示，海力士与三星 DRAM ASP 环比分别上涨约 20%与 40%，NAND ASP 亦录得 low 30%与 mid 20%的显著涨幅。且 TrendForce 预计 26Q1 DRAM 价格涨幅将会高于 25Q4。出货端方面，4Q25 业绩中三星与海力士均表示约束仍在，我们预计 行业紧平衡将延续。此前，路透社、韩国每日经济新闻和 TrendForce 已确 认 26 年存储产能已全部售出。资本开支方面，海力士与三星在业绩会上均 表示将提升投资规模，但重点投向 HBM 及先进制程（1c nm DRAM、V9 NAND），整体节奏与 TrendForce 此前偏审慎的判断基本一致。同时我们 从 Digitimes 和业绩会中看到，行业合作模式正转向包含供给与价格承诺、 乃至预付款的长期合约（LTA），以锁定供给。

SEMICON Korea：存储、先进封装、CPO 三大 Takeaways

我们从 SEMICON Korea 中总结三大 Takeaways。存储：推荐 SK 海力士 （000660 KS）、设备端推荐 Disco（6146 JP）和 Advantest（6857 JP）。 关键变量在于三星能否重返 HBM4 竞争。当前 HBM3E 主要由海力士和美 光向英伟达供货，本次 Keynote 中，三星释放重返高端 HBM 的信号，且韩 国每日经济新闻报道其有望向英伟达供货。HBM4 中三星聚焦三点升级：1） 导入 1γnm 制程；2）优化前端 TSV 结构；3）采用自研 4nm 逻辑 base die。 此外，三星还提出 Z-HBM（HBM 3D 叠加于 GPU 之上），将为中长期储备 方向。先进封装：推荐台积电（TSM US）、英特尔（INTC US）。过去市 场高度聚焦台积电 CoWoS 产能，但从产业格局看，三星与英特尔均已布局 2.5D/3D 先进封装。我们认为，随着谷歌、亚马逊等 CSP 上调资本开支， 自研芯片节奏加快，先进封装需求有望从台积电外溢。同时，日月光指出， 先进封装正由后端制造升级为与芯片架构协同的系统级工程。我们认为，随 着 HBM 堆叠与 Chiplet 尺寸扩大，PPA 优化或成为核心竞争要素；除 AI 芯片外，CPO 亦将依赖先进封装，行业重要性持续提升。CPO 有望加速落 地：推荐英伟达（NVDA US）、谷歌（GOOGL US）。英伟达在 CES 展 示 Vera Rubin 平台的 6 颗芯片并重申 CPO 方案，未来将由 Scale-out 向 Scale-up 拓展，以提升集群能效；谷歌 TPU 亦采用 OCS 技术（硅光）。 我们认为 CPO 有望自今年起加速渗透。