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存储行业深度跟踪报告：26全年预计供给偏紧状态持续，产业链公司整体展望乐观。英伟达存储机柜和 DS Engram模块均展现 AI数据中心多级存储架构演变趋势， NAND 在数据中心重要性日益凸显。2026 年存储新增产能有限，海外原厂因技 术转移等因素使得有效产能释放滞后，供需缺口预计将延续至 2027 年，原厂库 存持续紧张，下游模组厂等开启战略备货以应对客户需求。供需结构的变化进 一步支撑 2026 年合约价上行趋势，带动产业链公司业绩稳步增长，建议关注海 外存储/国内模组/利基存储和上游设备/材料等产业链公司。

需求端：AI 推理驱动存储需求成倍增长，NAND 成数据中心容量底座。AI 推理驱动存储架构向“HBM+DRAM+NAND”三级金字塔架构演进，RAG 与长 上下文确立了大容量 NAND 在降本增效与解决“模型幻觉”中的核心地位。技 术层面，多模态视频生成带来百倍内存需求，英伟达 Rubin 平台引入每 GPU 16TB 独立存储机柜，以及 DeepSeek Engram 架构利用 DRAM/SSD 卸载 HBM 压力，均验证了“以大容量廉价存储换取算力效率”的技术路径，单机存 储搭载量呈指数级跃升。行业层面，NAND 正式迈入 ZB 级数据时代，数据中 心将取代移动端成为最大单一市场，预计 2026 年服务器 DRAM 占比将突破 50%。中长期全球存储位元需求 CAGR 将维持在 20%水位，其中数据中心 DRAM 与 NAND 在 2023-2030 年的 CAGR 预计分别达 28.3%与 32.6%，远 超传统终端增速。

供给端：2026 年资本开支加速但有效产能释放滞后，供需错配驱动全球存储 链维持卖方市场格局。2026 年三大原厂资本开支显著提速，根据 TrendForce 预测，三星、海力士与美光预计分别投入 200 亿美元（同比+11%）、205 亿 美元（同比+17%）及 135 亿美元（同比+23%），但投资重心高度集中于 HBM 及向 DRAM 等先进制程的技术转移，新建产能释放需至 2027 年以后，导致 短期有效供给弹性严重受限，行业供给缺口预计将延续至 2027 年。受产能瓶 颈制约，2026 年 DRAM 与 NAND 位元出货量增速预计均维持在 20%左右， 且 AI 服务器需求爆发推动服务器端在 DRAM 与 NAND 位元出货占比中均超 过 45%，供需错配将有力支撑行业延续卖方市场格局。

库存端：产业链库存呈现显著的分化特征，原厂库存紧张将贯穿 2026 全年。 原厂库存水位持续回落，服务器 DRAM 与 NAND 紧缺趋势预计将贯穿 2026 全年，奠定长期卖方市场基础；中下游台厂与大陆厂商普遍积极备货，其中 大陆模组厂 Q3库存累计同比高增34%创历史新高，以应对2026年供需缺口， 后续有望在价格上行周期中通过低成本库存重估，释放巨大的利润弹性。