存储行业分析及核心标的推荐：AI超级周期来临，存储将实现价值重估.pdf

存储行业分析及核心标的推荐：AI超级周期来临，存储将实现价值重估。AI 超級週期推動存儲需求大幅增長： 1）從需求端看，當前 AI 從訓練向推理遷移，訓練端主要為計算密集型任務 （Compute Bound），而推理端的預填充階段（Pre-fill）需要根據提示詞生成 KV Cache，超長上下文對於晶片計算能力及記憶體容量要求較高；解碼階段 （Decode）則對於記憶體頻寬要求較高。單台 AI 伺服器記憶體需求為傳統伺服 器的 8-10 倍，且需搭配 HBM（高頻寬記憶體）、LPDDR 等多種類別存儲晶片解決 多個算力瓶頸。北美雲廠商在 2026 年 AI 基建投資預計超 6000 億美元，同未來幾 年時 AI 推理在邊緣計算、端側大模型的落地也將帶來存儲需求。 2）供給端看，三星、SK 海力士、美光等頭部廠商為搶佔 HBM 市場，將大量晶 圓產能從 DDR4、LPDDR 等傳統存儲轉向 HBM 與 DDR5，導致 2025 年消費級 DRAM 產能同比下降 12%，通用型存儲供給持續緊縮。此外，存儲晶片擴產需經歷 “廠房建設 - 設備導入 - 良率爬坡” 全流程，週期長達 18-24 個月，且單座 12 英寸晶圓廠投資額超百億美元。短期內難以形成有效供給。供需增速差預計 持續至 2027 年，支撐價格上漲週期延長。 3）技術端看，HBM 需通過先進封裝（如 TSV、MR-MUF、TC-NCF）實現多 DRAM 晶 片堆疊，技術壁壘遠高於傳統存儲，三星、SK 海力士的 HBM3e 良率僅 70%- 80%，HBM4 需要採用混合鍵合（Hybrid Bonding）進行 16 層堆疊，大批量產時 間預計延至 2026 年。此外，AI 驅動存儲架構從 “單一存儲” 轉向 “記憶體 - 緩存 - 硬碟” 分層體系，需搭配定制化存儲方案（如 AI 伺服器專用 SSD）， 而這類產品研發需與晶片設計、資料中心架構深度協同設計，供應鏈回應週期預 計將會更長。

存儲廠商利潤將大幅增長，且持續性較強: 當前這一輪存儲晶片價格上漲是由 AI 伺服器（HBM、LPDDR）和通用伺服器（NAND、DDR）共同驅動的，並且還存在 著結構性的產能轉換和多個維度的需求競爭，情況更為複雜。傳統需求與 AI 需 求疊加，使存儲晶片整體需求增速（2026 年 DRAM 需求增速 20%-25%）持續高 於供給增速（15%-20%）。短缺和漲價可能將會持續更長時間，預計 2026 年一整 年都會面臨供應緊缺和漲價的問題，三大存儲原廠（三星、美光、SK 海力士）的 利潤將在明年快速增長。

存儲晶片頭部廠商將享受由供應商至技術創新者的價值重估:我們認為拉長時 間來看，存儲行業仍是趨勢壓倒週期的成長型行業，並且在每一輪週期底部均有 玩家被淘汰/收購，頭部集中度越來越高。雖然不及晶圓製造行業台積電一家獨 大的格局，但三大存儲晶片原廠都有望在這一次 AI 帶來的超級需求週期受益， 享受估值、出貨量及單價的增長。