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电子行业2026年年度策略：算力基建驱动AI“从0→1”主线，“端云共振”主导存储和终端创新机遇。展望 2026 年，算力基建驱动 AI 主线，行业聚焦“从 0→1”变革节点；存储 涨价或贯穿 2026 年全年，4F2 +CBA 等技术成为发展方向；消费电子成本压 力和创新机会并存，端侧 AI 芯片或贡献结构性机会。

算力基建驱动 AI 升级主线，行业聚焦“从 0→1”变革节点。大模型推理侧 Tokens 需求快速增长推动 CSP 厂商积极提高资本开支投入算力基础设施建设。AI Infra 在追求更高的算力密度、更快的互联速度、更低的互联损耗的同时对 PCB、电子 布、铜箔、树脂、光互联架构提出了更高的要求。我们预计英伟达 Rubin 和 Rubin Ultra 的 Midplane/正交背板将配置高频高速树脂+HVLP 铜箔+Q 布的 M9 级 PCB/CCL 的解决方案，同时光互联层面也将向 OCS/CPO 的趋势演进。国产 AI 芯片也在积极提高算力和互联集群性能，同时前道先进制程和先进封装亦在积极 配合扩产。

位元产出增长有限或致存储涨价贯穿 2026 年全年，存储厂商转向制程升级、高 层数堆栈、4F2 +CBA 等技术。根据弗若斯特沙利文预估，2025~2029 年全球存储 产品市场规模将从 2,633 亿美元增长至 4,071 亿美元，CAGR 达到约 11.5%，其中 云侧和端侧存储是增长最快的两个细分领域。根据 TrendForce 预估，2025~2026 年 DRAM 产业资本开支将从 537 亿美元增长至 613 亿美元，YoY+14%；Nand 产 业资本开支将从 211 亿美元增长至 222 亿美元，YoY+5%。2026 年存储位元产出 增长有限，存储价格上涨趋势或贯穿 2026 年全年。同时，存储厂商从纯粹的产 能扩张转向制程升级、高层数堆栈等新技术。中国国产存储厂商亦在积极开发 4F2 +CBA 的技术架构以应对全球龙头厂商的技术竞争。4F2 +CBA 的架构变化有 望为供应链带来增量变化。

成本压力和创新机会并存，消费电子关注结构性机遇。TrendForce 预计 2025、2026 年存储价格上涨将驱动智能手机综合成本上涨 8~10%/5~7%。存储价格上涨导致 消费电子 BOM 成本压力增加，成本传导式涨价或影响终端产品销量。同时结构 性投资机遇依然存在。一方面，苹果定价策略呈现亲民化趋势，平价款 Macbook、 折叠机、智能眼镜等产品有望提振果链增长动力。另一方面，豆包 AI 手机、夸 克 AI 眼镜、苹果 Apple Intelligence 等端侧 AI 硬件新功能逐渐落地，有望给用户 带来创新性的体验。