兆易创新深度报告:存储+MCU国内龙头,端侧AI与国产替代共驱增长.pdf

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  • 时间:2025/12/26
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兆易创新深度报告:存储+MCU国内龙头,端侧AI与国产替代共驱增长。全球领先Fabless芯片供应商,“感存算控连”多元布局。公司是全球领先的Fabless芯片供应商,在 传统优势业务Flash的基础上,持续推进MCU、利基型DRAM、传感器及模拟芯片业务领域新产品线,通 过外延并购和内部孵化等方式,新业务加速发展,形成“感存算控连”多元布局。受益下游需求回暖 和海外大厂退出利基市场的机会,存储市场迎来周期向上,公司存储产品量价齐升,25年前三季度实 现收入68.32亿元,同比增速20.92%,归母净利润10.83亿元,同比增速30.18%。

端侧AI驱动NOR Flash市场规模扩容,公司NOR Flash市场份额跃升至全球第二。根据弗若斯特沙利文 数据,NOR Flash市场全球规模24年28亿美元,同比增速27%,预计在29年增长至42亿美元,年复合增 速8.4%,主要得益于消费类终端设备如智能手机、PC、可穿戴、智能家居等AI化转型,以及新应用场 景如AI眼镜落地和汽车三化推进。公司产品覆盖512Kb到2Gb的容量范围,支持等多种供电类型,为率 先实现45nm节点SPI NOR Flash大规模量产的公司之一,24年以18.5%的市场份额跃升至全球第二、内 地第一。

利基型DRAM供给端格局优化,定制化存储打开成长空间。为应对高性能计算对HBM、DDR5和LPDDR5产品 的爆发性需求,三星、SK海力士、美光等海外原厂逐步退出DDR3市场,同时大幅削减DDR4等利基型产 品的产能分配,海外大厂的退出为供给端带来缺口,国产厂商迎来历史性机遇。公司利基型DRAM产品 线基本铺齐,DDR4 8Gb较快抢占份额,自研LPDDR4系列预计26年实现量产。伴随存储进入周期上行区 间,公司产品迎来量价齐升,利基型DRAM业务有望成为第二大产品线。同时,公司前瞻性布局定制存 储,陆续有部分项目进入客户送样、小批量试产阶段,26年有望在汽车座舱、AIPC、机器人等领域实 现芯片量产。

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