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科技行业2026年度策略：持续看好AI链，关注存储周期影响。

2026 年主线：关注 AI 链、存储周期以及自主可控加速

2025 年电子行业在 AI链引领创新以及下游终端需求整体持续复苏的带动下 持续上行，同时 2H25 开始存储板块也在大幅供需差下开启涨价周期，展望 2026 年，我们建议关注几个方向：1）继续看好存储周期，涨价在 AI 数据 中心的拉动下或具备一定持续性，国内存储芯片及配套环节均有望受益；2） 看好全球头部 CSP 厂 ASIC 加速落地，带动 PCB 等算力产业链向高端化持 续演进；3）国内代工厂以及存储 IDM 扩产有望在 26 年开始加速，同时技 术节点向先进制程以及 3D 堆叠等方向迈进，上游国产设备商同步受益；4） 消费电子端侧 AI 产品创新或加速换机周期带动产业链受益。

AI 链：Scaling Law 仍然有效，带动 PCB 等算力链需求持续释放

我们认为 Scaling Law 仍然有效，目前已步入到 2.0 阶段，从预训练拓展到 后训练和推理，为模型能力增强带来新的路径，从而继续带动算力链需求增 长。2026 年，随着英伟达新一代 AI 服务器平台批量上量，全球头部云服务 商自研 ASIC 加速落地，加之高速交换机与光模块需求增长，我们预计算力 PCB 需求有望同比大幅提升。同时，算力终端对 PCB 的供给规格提出了更 高要求，正推动 PCB 向多层化、高精度和高可靠性方向迭代。我们看好 AI 服务器平台升级驱动板侧价值量持续提升，助推高多层板与高阶 HDI 成为 行业核心增量，并带动高频高速覆铜板及其前端材料迎来行业扩容。

存储：AI 驱动需求快速增长，看好大周期继续上行

闪迪、美光、三星等海外存储原厂陆续发布涨价函，奠定 4Q25 存储价格持 续上涨趋势。我们看到 AI 数据中心建设持续加码、AI 应用进一步深化对存 储需求的显著拉动，且短期存储产能供给释放有限，看好 2026 年存储周期 持续上行。DRAM 方面，AI 驱动的 HBM 及高容量 DDR5 需求仍保持旺盛， 预计 2026 年 DRAM 市场供需关系仍将保持紧张；NAND 方面，HDD 供应 已经出现短缺，叠加 AI 推理应用快速增加，将共同拉动企业级 SSD 需求增 长，推动 NAND 供需结构持续优化。国内存储模组、存储芯片以及主控/配 套芯片等产业链上各个环节厂商均有望受益于周期上行带来的量价齐升。

自主可控：关注存储+先进制程的长期国产化产业趋势

存储芯粒国产化为长期产业趋势，我们看到长鑫、长存持续推进产能扩张以 及市占率提升，同时存储产业持续向 3D 化发展，未来 DRAM 同样有望通 过 4F²+CBA 的方案走向 3D DRAM，NAND 逐步往 300 层及更先进节点演 进，而存储在高深宽比刻蚀和沉积设备上价值量亦显著增加。逻辑芯片方面， 先进制程持续构成高性能/AI 芯片的放量瓶颈，且在地缘政治因素波动的背 景下先进制程产能已具备国家战略地位，我们看好国内龙头晶圆厂持续推进 产能释放打开收入增长空间，同时提升设备国产化率，拉动上游国产设备商 订单释放。

消费电子：存储涨价部分消费终端承压，关注新产品形态预期差

我们预计存储持续涨价会使安卓手机/PC 等消费终端产业承压：1）安卓手 机等产业链出货量或出现同比下滑，同时品牌商竞争格局可能发生变化，手 机厂商如苹果、三星受到存储涨价影响或更小，而部分厂商或需要在硬件利 润与市占率间做权衡，2）产业链零部件环节利润率或受挤压，建议关注生 产稼动率下降幅度和个别行业是否可能发生价格战。但同时 26 年在消费电 子硬件新品方面可能是承上启下的一年，折叠屏、桌面机器人、消费级 3D 打印、AI/AR 眼镜、OpenAI 硬件等均有望带来行业新催化。