屹唐股份公司研究报告:前道设备隐形冠军,平台化布局去胶、RTP、刻蚀设备.pdf

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  • 时间:2025/11/27
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屹唐股份公司研究报告:前道设备隐形冠军,平台化布局去胶、RTP、刻蚀设备。平台化布局三大设备平台,国产替代与国际化双轮驱动:屹唐股份成立 于 2015 年,是一家专注于集成电路前道核心装备的高端制造企业。公 司致力于干法去胶(Dry Strip)、干法刻蚀和等离子体表面处理(Dry Etch and Plasma Surface Treatment)及快速热处理(RTP)等关键设备的研发 与制造,产品广泛应用于先进晶圆制造工艺,客户涵盖中芯国际、台积 电、三星、英特尔等全球领先的集成电路制造企业。在“半导体设备国产 替代”趋势下,公司凭借技术积累与平台化布局,已成长为全球前道设 备领域具有代表性的中国企业。

公司在干法去胶设备技术积累深厚,全球市占率第二:公司干法去胶产 品历经三十余年研发与应用沉淀,核心产品涵盖 Suprema®、Hydrilis® HMR 及 Optima®系列,具备工艺窗口宽、颗粒污染小、成本结构优等显 著特点,广泛应用于晶圆制造前道去胶工艺环节,适配 DRAM、3D NAND、逻辑芯片等多类晶圆平台,并已形成从常规去胶、选择性去胶 到先进刻蚀后清洗的完整产品谱系。2023 年公司干法去胶设备以 34.60%的全球市场份额位居全球第二,仅次于韩国厂商 PSK。

快速热处理设备(RTP)技术先进,市场份额位居全球第二:公司核心 产品包括 Helios®系列(常规 RTP)与 Millios® 系列(毫秒级退火),针 对先进逻辑芯片、DRAM 和存储器件量产而设计。设备采用晶圆双面加 热、氩气水壁电弧灯与闪光灯退火等核心技术,能够有效控制先进制程 中的热应力和图形保形性问题。设备性能参数处于国际主流水平,在 10nm 及以下节点具有良好兼容性,已在 DRAM、3D NAND 等存储产 线及高性能逻辑芯片产线完成验证并实现规模化应用。2023 年公司 RTP 设备以 13.05%的市场份额位居全球第二。

平台化技术布局刻蚀设备,挤入全球前十:公司干法刻蚀和等离子体表 面处理产品布局以 paradigmE ® 、Novyka®、RENA-E ®、Hydrilis® XT 系 列及 Escala®表面处理和材料改性设备为主,覆盖通用刻蚀、选择性刻 蚀及原子层级表面处理等多类场景。产品具备优异的等离子均匀性、刻 蚀一致性与器件兼容性。设备已在晶圆制造前道工艺中实现规模化应 用,成功进入多家国内外头部客户供应链,具备强适配能力与国产替代 潜力。2023 年,公司以 0.21%的市占率位列全球干法刻蚀设备市场第 九,在泛林半导体、东京电子、应用材料三大国际巨头合计 83.95%的高 度垄断市场中跻身少数具备量产能力的厂商之列。

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