1250V 1700V PowiGaN HEMT在800VDC AI数据中心架构中的应用.pdf
- 上传者：矫**
- 时间：2025/10/15
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该文档深入探讨了1250V和1700V功率GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）在800V直流AI数据中心架构中的应用。随着人工智能算力需求的爆发式增长，数据中心对电源效率、功率密度及散热性能提出了极高要求。传统的硅基功率器件在高压高频场景下面临瓶颈，而宽禁带半导体GaN凭借更高的击穿电压、更快的开关速度和更低的导通损耗，成为提升数据中心电源系统效率的关键技术。文档重点分析了高压GaN HEMT如何适配800VDC高压直流供电架构，优化电源转换效率，减少能量损耗，并助力实现更小体积和更高可靠性的电源模块设计，为AI基础设施的能效升级提供技术路径。
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