电力设备与新能源行业研究：AIDC系列深度（五），三次电源，AI芯片功率跃升下的价值重估.pdf

全球AI算力需求持续爆发，驱动数据中心供电架构向高压直流和电力电子化演进，供电瓶颈从机房侧下沉至芯片侧。三次电源作为直接面向GPU/ASIC的末级电压调节环节，因AI芯片功率跃升而进入系统性升级周期。英伟达GPU功耗从400W升至1400W，在低压约束下转化为千安级电流，导致I²R损耗平方级放大，对供电稳定性、瞬态响应和空间效率提出严苛要求。

技术演进呈现从分立式多相Buck向模块化、垂直供电和封装级集成迈进的趋势。短期看，多相Buck+DrMOS仍是主流，但相数和单相电流能力提升带动DrMOS、电感和电容用量增加。中期看，TLVR架构通过跨相磁耦合改善瞬态响应，VPD垂直供电通过缩短路径降低PDN损耗，模块化POL缩短设计周期。长期看，IVR和封装级电源将与先进封装深度协同，实现芯片级供电。

产业链核心元器件迎来量价齐升。DrMOS规格向90A以上演进，国产厂商加速导入；高端MLCC用量较通用服务器提升约13倍，供需偏紧；芯片电感向金属软磁材料升级，TLVR推动定制化需求；PCB向嵌入式、高多层和3D结构发展。竞争格局上，海外龙头如英飞凌、MPS、Vicor主导芯片和模组市场，村田、乾坤科技占据被动元件优势。国内厂商如杰华特、铂科新材、深南电路、中富电路等在细分领域突破，受益於国产替代和技术升级。