长鑫科技-688825-深度研究报告:AI算力重塑存储需求,国产DRAM巨擘龙跃云津.pdf

  • 上传者:风**
  • 时间:2026/08/13
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全球DRAM市场正经历由AI算力需求驱动的结构性变革,长鑫科技作为国产DRAM龙头,凭借技术迭代与产能扩张,在全球市场中占据重要地位。本报告旨在分析长鑫科技在行业上行周期中的竞争优势、技术进展及未来成长空间。

行业地位与技术实力

长鑫科技是中国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业。公司采用“跳代研发”技术路线,完成从第一代至第四代(约16nm级G4)工艺平台量产,实现DDR4、LPDDR4X向DDR5、LPDDR5/5X的产品迭代全覆盖。依据Omdia数据,公司为国内第一、全球第四大DRAM厂商,2026年一季度全球市占率约8%。公司在合肥、北京布局合计3座12英寸DRAM晶圆产线,产能扩张持续推进。

市场需求与周期判断

AI驱动海量数据需求爆发,DRAM市场上行周期确立。2025年下半年起DRAM供需格局持续优化,合约价格显著回暖。2026年海外原厂资本开支优先投向HBM,传统DRAM新增产能投放有限,供给结构向高端产品倾斜。全球行业形成三星、SK海力士、美光三足鼎立格局,国产存储厂商迎来发展窗口期。

经营业绩与财务表现

受益于行业景气度上行和公司自身经营能力提升,公司业绩实现快速增长。2025年实现营收617.99亿元,同比增长155.6%,并首次实现由亏转盈。随着DDR5等高端产品放量,收入结构持续优化,2025年DDR系列营收占比提升至31.87%。预计2026-2028年归母净利润分别为1565.94亿元、2440.18亿元、3153.37亿元。

投资逻辑与风险提示

公司正处于国产替代、AI算力扩张与存储周期上行三重共振阶段。随着DDR5等高端产品放量、产能爬坡与规模效应释放,业绩增长空间有望持续打开。给予“强推”评级。风险因素包括经营风险、产品价格波动风险及人才短缺或流失风险。

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