HBM供给格局、价格与未来路线分析

原厂坚定加速HBM产能扩张节奏，产线代际升级势在必行.

1.HBM厂商竞争格局：SK海力士/三星/美光三家垄断，25年/26年HBM市占率比例预计从5:3:2调整为5:2:3

当前全球HBM供给基本被海外三巨头垄断。技术门槛高导致HBM行业高度集中，目前，全球仅有的三家HBM供应商，分别为韩国SK海力士、韩国三星电子、美国美 光。其中SK海力士凭借先发优势与领先的技术优势，在全球HBM领域占据绝对主导地位。据TrendForce数据，从HBM位元出货量统计口径，2023年SK海力士市占率为 48%，三星电子市占率47%、美光市占率5%；从HBM收入统计口径，2023年SK海力士市占率为52%，三星电子市占率44%、美光市占率4%；从HBM晶圆产能统计口径， 2023年SK海力士市占率为49%，三星电子市占率48%、美光市占率3%。当前HBM市场仍由SK海力士/三星/美光三家垄断，TrendForce预计2025年HBM市场中SK海力士/ 三星/美光市占率(以HBM出货量统计口径)将分别为52%/29%/19%，我们测算2026年SK海力士/三星/美光HBM市占率(以HBM出货量统计口径)将分别为50%/24%/27%。

国内HBM产业处于起步阶段，与国际巨头相比仍有差距，但部分企业(如长鑫存储等)已取得一定进展。1)长鑫存储：据韩媒Financial News披露，长鑫存储计划于2025 年底交付HBM3样品，2026年全面量产，并剑指2027年攻克HBM3E技术。2)武汉新芯：发布《高带宽存储芯粒先进封装技术研发和产线建设》招标项目，将利用三维集 成多晶圆堆叠技术，打造更高容量、更大带宽、更小功耗和更高生产效率的国产高带宽存储器(HBM)产品。拟新增设备16台套，拟实现月产出能力>3000片(12英寸)。

HBM代际竞争格局：当前主流HBM3E 25年占比有望超95%，预计HBM4代际将于26H2接棒市场主流

HBM3E代际为当前主流，据TrendForce预测，2025年HBM3E市场份额大幅提升，占比有望超过95%。据TrendForce数据，2024年全球HBM市场容量中不同代际的市 场份额分布如下：1)HBM2E及以下：占比17.1%，2)HBM3：占比33.3%，3)HBM3E：占比49.6%。从HBM代际来看，据TrendForce预计，2025年HBM3e的使用量或将大 幅提升，预计占比超过95%。

HBM4代际或于26H2超越HBM3E成为市场主流。据TrendForce预测，2026年HBM市场总出货量预计将突破30 Billion Gb，HBM4的市占率则随着供应商持续放量而逐 季提高，预计于2026年下半年正式超越HBM3e系列产品，成为市场主流。

2.HBM价格研判：预计25年/26年HBM ASP将达1.76/1.84美元/Gb，高端产品迭代助推未来价格上行

据TrendForce数据，2024年HBM平均售价为1.50美元/Gb(即ASP~12.00美元/GB)，同比增长8.4%。据TrendForce数据，2024年HBM平均售价为1.50美元/Gb(即 ASP~11.98美元/GB)，同比增长8.4%，其价格上涨动力主要系HBM3E比重提升。展望2025年，TrendForce预计HBM同产品价格将上涨10%，而HBM3E 12hi的量产将进一 步带动均价上涨，预计2025年HBM平均售价将达1.76美元/Gb(即ASP~14.10美元/GB)，同比增长17.7%。

SK海力士HBM4涨价70%，考虑到HBM4比重提升有望拉动HBM价格上涨，我们测算，2026年HBM平均售价为1.84美元/Gb(即ASP~14.72美元/GB)，同比增长4.4%。 据存储世界MWorld 2025年8月5日报道，SK海力士上半年向NVIDIA供应的12层HBM4产品单价在500美元左右，比12层HBM3E产品单价(约300美元)高出60%至70%。 HBM4是下一代高附加值存储器，与HBM3E相比，带宽和能效显著提升，首批HBM4产品设计和工艺复杂度的显著提升也导致了价格上涨(从HBM4开始，负责计算处理 的Base Die采用基于台积电4纳米工艺的代工工艺制造，其所需的加工成本是标准DRAM的两倍多，I/O数量也比上一代增加了一倍多) 。HBM4预计将被应用于主流GPU 和AI服务器芯片，NVIDIA计划最早于年底发布Rubin平台原型。考虑到HBM4比重提升有望拉动HBM价格上涨，据我们测算，2026年HBM平均售价为1.84美元/Gb(即 ASP~14.72美元/GB)，同比增长4.4%。

3.HBM未来演进：HBM4 16Hi或26年落地，散热/键合等技术升级适配未来需求

HBM当前进展：2025年原厂HBM3E 12Hi已量产并成为主流，下一代HBM4 16Hi或有望26年实现

HBM1→HBM3E代际跃迁：自2013年SK海力士首次推出HBM1以来，HBM存储技术经历了多次重要的产品迭代，包括HBM2、HBM2E、HBM3和最新的HBM3E， 每一代产品在容量、带宽和功耗效率上都有显著提升，其中HBM3E代际可提供高达9.2Gbps的I/O传输速度和超过1.2TB/s的带宽。

HBM未来路线：HBM4→HBM8迭代，随 I/O数/堆叠层数/单层容量升级向混合键合等技术演进

据KAIST韩国科学技术院学者 Kim Joungho 在2025年6月11日讲座上，介绍了 HBM4 至 HBM8 长期路线图，其中，HBM 内存的 I/O 数目将在 HBM5、HBM7、 HBM8 三次倍增，堆叠层数、单层容量、引脚速率也将步步提高，键合技术将从现有的微凸块向无凸块铜对铜直接键合(混合键合)过渡。而在这一代际演进中， HBM 堆栈的发热同样会逐步增长，带来更高的散热需求。