盛美上海经营看点在哪？

平台化策略开拓其他设备业务，打造新业务增长极。

1.公司电镀设备技术储备丰富，国内龙头掌握核心专利

半导体电镀是指在芯片制造过程中，将电镀液中的金属离子电镀到晶圆表面形成金属互连。随着 芯片制造工艺越来越先进，芯片内的互连线开始从传统的铝材料转向铜材料，半导体镀铜设备便 被广泛采用。目前半导体电镀已经不限于铜线的沉积，还有锡、锡银合金、镍、金等金属，但是 金属铜的沉积依然占据主导地位。铜导线可以降低互联阻抗，降低器件的功耗和成本，提高芯片 的速度、集成度、器件密度等。 全球前道电镀设备市场位居全球前三，确立国内龙头地位。根据 Business Research Insights 数 据，2023 年全球半导体电镀系统（电镀设备）市场规模达 5.2 亿美元。预计 2032 年市场规模将 达到 12.1 亿美元。根据 QYResearch 调研数据，目前全球前道晶圆制造的电镀设备市场泛林集团 以 24%的市占率居首，盛美上海以 15%的市占率排在第三位，也是前五中唯一的中国半导体设备 公司。盛美上海掌握芯片铜互连电镀铜技术核心专利，在铜互连电镀方面占据领先优势。

差异化开发先进封装电镀设备，进一步拓展电镀设备布局。公司在半导体先进封装领域进行差异 化开发，解决了在更大电镀液流量下实现平稳电镀的难题，2022 年在高速电镀锡银方面也实现突 破，在客户端成功量产。采用独创的第二阳极电场控制技术更好地控制晶圆平边或缺口区域的膜 厚均匀性控制，实现高电流密度条件下的电镀，凸块产品的各项指标均满足客户要求。在针对高 密度封装的电镀领域可以实现 2μm 超细 RDL 线的电镀以及包括铜、镍、锡、银和金在内的各种 金属层电镀。自主开发的橡胶环密封专利技术可以实现更好的密封效果。 在进一步迭代研发现有电镀设备种类之外，公司面向新需求积极拓展新的电镀设备类型。未来在 高端半导体设备迭代研发项目实施期间，计划在现有产品、技术及研究工作的基础上，将电镀设 备的产能从 84 片/小时提高至 100 片/小时；将 TSV 深孔电镀设备的深宽比从 10:1 提高至 20:1、 开发针对 515mmx500mm 以及 600mmx600mm 面板级高密度扇出封装电镀设备，取得核心知识 产品，并通过客户端验证。

2. 公司自研立式炉管，相关技术国内领先

半导体产业景气度回升，炉管市场规模扩大。炉管是半导体工艺中广泛应用于氧化、扩散、薄膜 生长、退火、合金等工艺的设备，分为卧式和立式两种。立式炉按照工艺压力和应用可以分为常 压炉和低压炉两类，常压炉主要完成热扩散掺杂，薄膜氧化，高温退火；低压炉主要实现不同类 型的薄膜在晶圆表面的沉积工艺，主要是多晶硅，氮化硅，氧化硅等薄膜。在全球半导体产业景 气度回升的带动下，炉管设备市场规模亦将继续扩张。QYResearch 调研显示，2023 年全球半导 体炉管设备市场规模大约为 24.61 亿美元，预计 2030 年将达到 36.8 亿美元，2024-2030 期间年 复合增长率(CAGR)为 5.9%。

自研立式炉管，提高公司产品多样性。为了进一步扩大公司可覆盖的半导体专用设备市场规模， 提高公司产品的多样性，2018 年公司在湿法工艺的基础上，跨入干法设备领域，自主研发立式炉 管设备，并于2020年通过华虹集团验证且实现销售。未来，随着工艺制程的不断更新，盛美凭借 湿法和干法设备并举的种类齐全的产品线，完善的研发体系，以及形成产业链一体化的生产能力 和技术资源，有机会进一步巩固公司技术的领先地位，扩大公司产品可覆盖市场的市场份额。 公司立式炉管技术专利储备丰富，差异化优势逐步体现。公司在成熟炉管平台的基础上，向高低 介质常数原子层和高深宽比沟道材料填充以及其他特殊应用炉管方向拓展。目前研发的立式炉管 设备主要包括低压化学气相沉积炉、氧化退火炉、合金炉和原子层沉积炉。公司自主研发的UltraFn 立式炉管设备采用公司独有的炉管结构设计，具备最高 1250 °C 的处理能力，并能使表面 无晶格错位。据公司披露，目前业内尚无其他厂商能够在立式炉管设备中实现这么高的工艺温度。 这一工艺性能的突破，也大大提高了离子注入掺杂的扩散和激活效率，体现了公司在高温热处理 设备方面长期投入所形成的技术积累与差异化优势，有望成为未来一个显著的增长点。

募投项目持续投入，力求成为全球有竞争力的立式炉管厂商。未来在高端半导体设备迭代研发项 目实施期间，计划研发出高介质常数原子层沉积炉管（High K）、低介质常数原子层沉积炉管 （Low K）、多晶硅深孔填充炉管设备、氧化硅低压化学气相沉积炉管、锗硅沉积炉管设备和超 高温扩散炉，从而取得核心知识产权，最终通过客户端验证。

3.先进封装设备领域耕耘多年，差异化布局显成效

先进封装优点多样，市场规模保持增长态势。封装是半导体晶圆制造的后道工序之一，目的是支 撑、保护芯片，使芯片与外界电路连接、增强导热性能等。封装可以分为传统封装和先进封装， 两者在需要的设备，材料以及技术方面具有较大的差异。相比传统封装，先进封装具有小型化、 轻薄化、高密度、低功耗和功能融合等优点，不仅可以提升性能、拓展功能、优化形态，相比系 统级芯片，还可以降低成本。据 MARKET MONITOR GLOBAL 调研显示，2023 年全球封装湿法 工艺设备市场规模约为 197.1 百万美元，预计 2030 年达到 242.8 百万美元，2024-2030 期间年复 合增长率(CAGR)为 3.4%。

先进封装设备技术积累丰富，产品进入多家企业及机构。在先进封装设备领域，公司已经耕耘多 年，拥有较强的技术积累，目前已申请专利超过 20 项，是中国少数能提供先进封装全套湿法设备 的公司，包括涂胶，显影，去胶，湿法刻蚀，清洗，电镀，无应力抛光等设备和技术。从 2013年 获得国内封装测试龙头企业长电科技的订单以来，目前公司的产品已进入多家封装企业生产线以 及科研机构，包括通富微电、中芯长电、Nepes、华进半导体和中国科学院微电子研究所等。

在先进封装清洗设备方面，盛美解决了 TSV 深孔清洗、助焊剂清洗的众多难题： 自主研发的兆声波清洗功能有效改善 TSV 深孔清洗效果。TSV 的深孔清洗具有挑战性，关于清洗 药液浓度的模拟计算显示，从 TSV 开口处到孔底，随着清洗工艺的进行清洗药液的浓度分布曲线 越来越低，底部药液得不到及时补充，底部清洗很困难。盛美的清洗设备增加了自主研发的兆声 波清洗功能，由于兆声波能加强微观对流，使药液浓度从上面到底部只有微小的衰减，清洗效果 较强，针对深孔改善明显。

自主研发负压和真空清洗技术解决助焊剂清洗难题。芯片的三维集成变得越来越复杂，芯片互连 的关键尺寸也在不断变小。以芯片预填充工艺中的芯片分块预填充为例，当 IC 芯片上的凸点间距 很小时，液体表面张力成为液体流动的主要影响因素，在预填充工艺之前的助焊剂清洗，无论是 传统的正面清洗方法还是高压喷淋清洗方法都无法冲洗干净凸点周围的助焊剂。针对国内先进客 户的 Chip-let flux cleaning 需求，盛美上海创造性地开发了负压清洗设备，负压环境中表面张力 发生变化，清洗效率大大提高。进一步的， 盛美上海研发了助焊剂真空清洗设备，相关成果已在 2024 年 IEEE Xplore 上发表。 在先进封装电镀设备方面，盛美在电镀交叉污染控制和兼容性上表现突出。公司在半导体先进封 装领域进行差异化开发，解决了在更大电镀液流量下实现平稳电镀的难题。采用独创的第二阳极 电场控制技术更好地控制晶圆平边或缺口区域的膜厚均匀性控制，实现高电流密度条件下的电镀， 凸块产品的各项指标均满足客户要求。在针对高密度封装的电镀领域可以实现 2μm 超细 RDL 线 的电镀以及包括铜、镍、锡、银和金在内的各种金属层电镀。自主开发的橡胶环密封专利技术可 以实现更好的密封效果。 盛美的水平电镀设备适合于先进封装多层电镀的污染控制。先进封装常用到 Cu、Ni、SnAg、Au 金属的多层电镀，需要在不同电镀槽之间来回电镀。如果采用垂直电镀设备，晶圆要不停倒，不 同槽体之间的交叉污染较难控制。盛美的水平电镀具有在线冲洗功能，交叉污染控制较好，因此 电镀液寿命就可适当延长，更具成本优势。

盛美的真空预湿技术可以针对真空压力和水压分别进行调节，解决了不同产品的兼容性问题。该 技术也是根据客户线上反馈的问题而逐步完善的功能，及时聆听客户反馈的问题并加以研究快速 解决，这是盛美的一大优势。

首创无应力抛光，助力先进封装普及。为克服在化学机械研磨（CMP）过程中可能造成的晶圆表 面划伤或是边缘铜线缺失，盛美上海在全球范围内首次提出无应力抛光概念（SFP）。无应力抛 光工艺是一种创新解决方案，在化学机械研磨和湿法刻蚀前，采用电化学方案无应力的去除晶圆 表面铜层，能显著降低化学和耗材使用量，保护环境的同时降低设备使用成本。公司自研的具有 知识产权保护的无应力抛光设备主要应用于 3D TSV、2.5D 硅中介层、RDL、Fan-Out 等先进封 装中的金属层平坦化，其众多优点有助于加速先进封装的进一步普及。

公司目前进一步提高先进封装湿法设备领域的技术水平，针对客户提出的新要求展开迭代研发， 并拓展国际市场应用。未来在高端半导体设备迭代研发项目实施期间，将开发出针对先进封装技 术的封装设备，包括带铁环薄膜的清洗和去胶设备，先进封装伯努利吸盘清洗设备等。