光迅科技发展历程、股权结构、营收及竞争力分析

老牌国企光通信厂商，全产业链一体化布局。

光迅科技深耕光通信领域40余年,通过多次并购拓展产业链，打造光芯片、光器件、光模块垂直一体化平台。公司源于1976年成立的邮电部固体器件研究所，2000年改制为企业，2009年登陆深圳证券交易所，成为国内首家上市的通信光电子器件公司。为进一步提升公司综合竞争力，并加速公司传统无源产品和有源技术融合，2012年，公司完成控股股东旗下全资子公司WTD(武汉电信器件)并购，光迅一跃进入世界最大光器件公司之列，依美洲、欧洲的海外研发中心和业务平台，形成全球化格局，最大程度聚合人才优势。2013年，公司进一步完成丹麦IPX并购，进军高端无源芯片市场。2016年，公司并购法国Almae加强PECVD无源芯片和10G以上高端有源光芯片的量产能力。2018年，公司间接控股股东由武汉邮科院转变为中国信科，且同年公司牵头成立的国家信息光电子创新中心正式挂牌，研发力量持续突破。据LightCounting统计，2023年公司在全球光模块行业中排名第五。公司连续十七年入选“中国光器件与辅助设备及原材料最具竞争力企业10强(第1名)”“全球光器件最具竞争力企业10强(第4名)”。

公司第一控股股东为烽火科技(控股36.7%)，实控人为中国信科，最终受益人为国资委，股权结构较为集中。中国信科成立于2018年7月，由原武汉邮电科学研究院(烽火科技集团)和原电信科学技术研究院(大唐电信集团)联合重组而成，是国务院国资委直接管理的信息通信高科技央企，产业聚焦“光通信、移动通信、光电子和集成电路、网信安全和特种通信、智能化应用、数据通信”六大方面。光迅科技是中国信科在光通信领域的重要布局，依托股东强大实力，光迅科技发展动力十足。

公司经营稳步向好，光模块业务有望持续发力。2019~2023年期间，公司营业收入从53.38亿元增长至60.61亿元，归母净利润从3.58亿元增长至6.19亿元，四年CAGR分别为 3.23%和14.67%，2023年公司业绩短期小幅承压，主要受行业层面电信接入需求增速放缓及接入市场需求波动所致。202403明显好转，公司营收和归母净利润同比+24.29%、12.26%，AI驱动下公司数通光模块业务预计将迎来持续发力，有望为公司提供进一步的增长动力。

传输业务平稳增长，接入业务周期性明显。公司收入主要分为传输类业务、接入和数据业务。2024H1,公司这两类业务收入占比分别为50.64%、47.94%。毛利率方面,从细分业务来看,2024H1传输类业务为30.09%,稳定在较高水平:接入与数据业务毛利率在近三年有所下滑，或主要受到接入业务周期性波动及数通业务行业价格战影响，2024H1年为12.83%。未来伴随毛利率相对更高的数通光模块产品营收占比持续提升，数据与接入业务的毛利率水平有望迎来企稳回升。公司整体毛利率在 2024年 03单季度提升至 25.10%，环比增长2.30pct,显示 400G/800G产品结构快速改善，带动盈利能力持续上升。

公司费用控制能力较好，研发费用率水平行业居前。202403，公司销售费用率、管理费用率和财务费用率分别为2.53%、2.01%、-1.34%，公司注重内部管理效益并严格财务预算，管理费用与财务费用长期处于较低水平。研发费用率为9.23%，公司注重研究开发与产品创新，其研究人员占比及研发投入金额居同行业公司前列。

公司自上市以来共发布五期股权激励计划，覆盖面广且激励充分，为公司发展提供重要动力。横向比较，五期股权激励计划的人员覆盖范围持续扩大，2023年已提升至741人，涵盖公司董事中高层管理人员及核心骨干人员。最新一期在2023年6月，主要行权条件包括:以2021年为基期，2023-2025年净利润CAGR不低于6%、7%、8%，且不低于同行业平均水平或对标企业75分位值;三年新产品销售收入占主营业务收入比例分别不低于21%、22%、23%;三年ROE均不低于8.9%。从业绩考核内容来看，公司聚焦考核净利率复合增速、ROE、新品销售收入占比，强调公司对盈利能力及产品创新方面的高要求，彰显对未来发展的信心。

光芯片属于光通信产业最上游，设计与制造紧密结合，环节壁垒高。内生外延并举，光迅科技在光芯片领域深耕多年，积淀深厚。2012年，公司与WTD合并重组后即获得了国内领先的有源芯片能力，WTD当时是国内首家拥有光器件芯片关键技术和大规模量产能力的企业，推动光迅科技在产业规模、技术研发等方面的快速发展。2014年公司启动定增项目“宽带网络核心光电子芯片与器件产业化项目”，募集6.1亿元强化自身激光器芯片和探测器芯片的产业化能力。2016年，公司通过子公司大连藏龙收购法国Almae,进一步强化了自身在EML芯片等领域的实力。硅光芯片方面，2017年，光迅牵头成立国家信息光电子创新中心，联合11家光电子器件企业和科研单位共同组建。2024年，其首款2Tb/s三维集成硅光芯粒成功出样，该芯片在2021年1.6T硅光互连芯片的基础上，进一步突破了光电协同设计仿真方法，研制出硅光配套的单路超200Gdriver和 TIA 芯片，将广泛应用于下一代算力系统和数据中心所需的 CPO、NPO、LPO、LRO等各类光模块产品，预计近期可以实现高端硅光芯片的批量商用。公司目前是国内少数对光芯片具备战略研发能力的厂商，年产能非常可观，低速光芯片自给率较高，是国内少数量产25G以下DFB芯片的厂商，并持续突破100G和 200G光芯片等高端产品。2023年以来，伴随AI驱动的行业需求爆发，光芯片持续出现短缺，公司自给能力成为其获取订单的核心竞争力。