存储行业格局、周期情况及机遇分析

周期与成长并存。

1.存储格局：准入门槛不断提升，上游原厂高度集中

存储芯片的周期性明显，波动大于半导体整体行业。全球半导体是螺旋演进的周期性行业，其中存储芯片相对标准化，因此周期性更为明显。从2000 年以来的增速看，全球存储芯片的销售额同比增速波动性大于全球半导体：

PC 与手机创新：02 到 04 年，PC、笔记本需求拉动存储芯片景气上行；09到11 年，全球经济变化带来行业短期波动，3G 手机和上网本的出现拉动了内存的需求。13 到 14 年，4G 智能手机渗透率提升，互联网+带来计算量提升，拉动存储进入上行周期。

视频流量兴起：16 年到 18 年，视频流量与智能化场景应用带来的存储扩容带动存储芯片景气上行；而各大存储大厂处于由 32 层向64 层技术过渡阶段，产能使用率和良率偏低，存储器进入供不应求状况，价格大幅上涨，2017年全球存储芯片销售额同比增长 61.5%。2018 下半年到2020 年上半年，手机销量疲弱，存储厂商扩产和技术升级完成供过于求，2019 全球存储芯片销售额同比减少 32.6%。

疫情与供应链本土化：2020 下半年到 2021 年底，疫情带动的居家办公、线上学习带动 PC 和数据中心需求带动存储芯片景气上行；同时部分晶圆厂或封装厂因为疫情停工，供给不足，全球存储芯片月销售额增幅扩大。2022年至今,由于过渡下单导致的高库存、通胀及经济复苏趋缓导致存储芯片需求和价格持续走低。

DRAM 产品偏标准化使得其具备了大宗商品属性，行业经历整合后CR3 达90%左右。当需求下降时，一方面厂商试图通过大幅降低价格来获得市占率，另一方面晶圆厂需要满负荷运行已分摊固定成本（包括折旧）很高；因此当需求放缓时，会导致供应过剩，使价格和利润面临压力。 自 2012 年以来，内存行业不断整合，95年前十大 DRAM 厂商占据了约 80%的市场份额，到 13 年美光科技、三星和SK海力士占据了 90%以上的市场份额，期间由于终端应用需求下降、汇率变化及资本投入受限等因素使得奇梦达、尔必达相继破产，行业整合形成了高度集中的格局。

随工艺节点提升，内存需要的资金投入、规模与技术能力使得市场难以进入。在行业整合阶段，由于工艺节点提升带来的准入门槛提升使得行业鲜有新进入者。工艺节点的缩小使得晶圆厂和工艺开发成本每年飙升13%以上，建造一座新晶圆厂的成本在百亿美元量级，需要国家和社会资本的大力支持。此外，内存bits的单价逐年降低，因此要求内存厂商不断迭代以维持产品ASP，因此对技术要求提出了较多的挑战。

2.储存现状：价格触底，周期底部拉长

供需受多因素影响波动性增强且周期拉长。由于 COVID-19 放缓了供给端增长而居家模式拉动需求端加速增长，供需缺口拉大带来了行业20-21 年的景气上行，随生活常态化内存市场增长放缓 22 年开启下行周期。由于过度下单与积极扩产导致库存高企，此外地缘政治、全球通胀、消费情绪低迷导致需求恢复有限，供需调整周期拉长。

1Q23 全球 DRAM 收入规模环比减少 21.2%。根据 TrendForce 数据，1Q23DRAM产业营业收入约 96.6 亿美元，环比减少 21.2%，已经连续三个季度下降。目前由于市场供过于求的状况仍未改善，价格持续下跌；随着原厂陆续减产后，预计DRAM下半年价格的跌幅有望逐季收敛。考虑 2Q23 虽然出货量有所增加，但因价格跌幅较大，预计营业收入增长幅度有限。

1Q23 全球 NAND Flash 收入规模环比减少 16.1%。根据TrendForce 数据，1Q23NANDFlash 产业规模约 86.3 亿美元，环比减少 16.1%；主要由于第一季度NANDFlash购买方采购意愿保守，供应商持续降价求售，因此1Q23 NAND Flash 位元出货量仅环比微增 2.1%，而平均销售单价（ASP）环比减少15%。TrendForce 预计2Q23位元出货量环比增长 5.2%，但 ASP 将持续下跌，因此预计2Q23 NAND Flash产业营业收入将持续下跌，环比下降约 7.9%。

2Q23 部分产品价格降幅持续扩大。根据 TrendForce 数据，由于服务器出货不如预期及库存压力持续，DRAM 及 NAND Flash 供应商减产速度不及需求降低速度，部分产品 2Q23 均价季度跌幅有扩大趋势，预计 DRAM 扩大至13-18%，NANDFlash扩大至 8-13%。其中，DRAM 价格跌幅扩大的主要原因是DDR4 与LPDDR5 的库存过高；NAND Flash 价格跌幅扩大的主要原因是市场供过于求的状况仍未改善，Enterprise SSD、UFS 跌幅扩大。

预计 23 年全球服务器出货量同比减少 2.85%，AI 服务器占比约10%对行业整体拉动有限。根据 TrendForce 数据，由于国际形势及全球经济影响，同时四大CSP（云服务提供商）陆续下调采购量，Dell 及 HPE 等 OEM 亦下调全年出货量预估，预计23 年全年服务器整机出货量将下修至 1383.5 万台，同比减少2.85%。虽然ChatBOT等将带动 AI 服务器出货量，预计 23 年 AI 服务器出货量将同比增长超过10%，但是由于目前 AI 服务器占整体服务器出货比例不到 10%，故无法反转整体疲弱态势。

需求疲软导致周期底部拉长至 23 年底，原厂减产后行业将以低增速缓慢恢复增长。根据 IDC 数据，由于需求疲软导致 DRAM 与 NAND 供过于求比例（sufficiencyratio）不断上调即供过于求时间持续拉长；在供给端原厂均通过减产进行供给优化：西部数据与铠侠调整了横滨、北上 NAND Flash 工厂产量，22 年10 月开始削减约 30%产量；美光削减 20%综合产量；海力士围绕受益较低的产品线减产；三星以 DDR4 等通用产品为中心推进减产 3-6 个月。在需求端，除服务器等细分领域结构性快速增长，由于占比较高的消费电子疲软与通胀使得需求增长有限，预计本轮周期需求将呈现低增速状态。

3.存储机遇：下游应用场景智能化

随数据中心数据密度增加，21-25 年预计单位服务器NAND 用量将增加3 倍、DRAM将增加 2 倍。与普通服务器配置单个 DRAM 与 NAND 不同，数据中心随着数据密集化，向异构数据中心架构发展。该结构解决了增加的数据集和计算核心数量对内存扩展的需求，增加了系统的灵活性并且降低了整体的功耗。预计随数据中心发展，未来单位服务器对应的存储器数量将倍增。

AI 带来的数据增量与服务器需求，NAND\DRAM 数据中心应用市场2030 年将有望接近 1800 亿美金。随着 AI 的迅速发展，产生和需处理的数据量将会进一步攀升，据 IDC 统计，2022 年 NAND 需求量约 6 千亿 Gb，到2027 年将达到17.6 千亿Gb，年复合增速达20.1%，DRAM在服务器端需求从21年62亿Gb到140亿Gb，2021-2027年复合增速达 14.5%，服务器端将超越手机端成为DRAM 的第一大市场。根据美光预计，NAND\DRAM 市场 2030 年有望超 1800 亿美金，近10 年复合增速约14%。

在汽车智能化驱动下，21-27 年汽车存储需求复合年增长率约为20%。在汽车智能座舱、自动驾驶渗透驱动下，美光预计 25 年一辆普通汽车所需的DRAM和NAND容量将分别提高 3 倍和 4 倍。根据 Yole 预测，21-27 年汽车存储市场将从43亿美元增加至 125 亿美元，对应复合增速为 20%。尽管汽车存储市场占存储市场不到 5%，其增速远超行业平均增速。美光为最大供应商，21 年市场份额为45%，三星占 13%，英飞凌、铠侠、SK 海力士、ISSI 均落后于三星，市场份额≤7%。

NOR(15%)、DRAM(39%)和 NAND(41%)为主要汽车存储应用形式，美光市占率最高，21 年占比达 45%。21 年汽车内存市场以 NAND 和 DRAM 为主，合计占比80%：NO占15%，市场空间大 7 亿美元。目前汽车存储主要应用在信息娱乐单元、仪表盘和连接功能的驾驶舱，而辅助与自动驾驶应用占比为 24%。随着自动驾驶程度提升，DRAM 和高密度 NOR Flash，还有用于智能传感器的SLC NAND 是增长最快的内存应用领域。预计 27 年，ADAS & AD 的收入份额将增加至36%，DRAM 和NAND占比近 90%。

从 ECU 到域控制最后到中央计算架构，存储技术不断演进。随着数字驾驶舱、ADAS智能传感器和自动驾驶功能的普及，DRAM 需使用到LPDDR5(x)；由eMMC向UFS和 PCIe 固态硬盘 (SSD)发展。而前置摄像头、成像雷达、激光雷达等智能传感器的渗透需要高密度 NOR 闪存（(Q)SPI 至 xSPI）和DRAM(DDR3L 或LPDDR4)。自动驾驶需要采用中央处理和人工智能，需要存储大量代码和数据，对应eMMC或 UFS 的应用。此外，智能座舱应用中对容量、低功耗和即时启动时间要求提升，LPDRAM 容量将增至 64GB 升级为 LP5/6，，带宽提升至400GB/s，通常采用SIP封装将 DRAM 颗粒与系统级芯片（SoC）集成在小型 PCB 上以提升高速数据速率时的信号完整性。