HJT降本路径有哪些？

HJT降本路径有以下四种：

HJT降本路径之一：硅片减薄、N型硅片大规模生产

硅片降本路径：N型硅片大规模生产、硅片变薄。  N型硅片大规模生产：目前N型硅片比P型硅片溢价8%，主要由于技术复杂一些以及没 有大规模生产。若大规模生产后，预计N型硅片比P型硅片溢价4%左右。

硅片变薄：要兼顾碎片率和良率等，预计TOPCon能从170μm减到150μm，不能进一 步下降主要由于TOPCon是高温技术，薄硅片高温下容易弯曲，而且电池非对称结构， 电池弯曲情况下组件破片率会增加。HJT能从170μm-150μm-120μm-100μm，远期目 标80μm（HJT硅片可以更薄）。薄片需要调整轴距，改善稳定性、TTV、破片率等； 轴距越短，线的抖动力和控制性会更好，良率有可能维持甚至更好。

东方日升2020年开始生产150μm硅片，采用非晶工艺，平均效率24.6%，电池加组件 的破片率在0.05%-0.06%之间。2021年开始生产120μm硅片，一开始效率比非晶低， 因为薄片电流会下降，需要通过开压和填充因子弥补效率的降低。HJT采用完美的双 面钝化接触结构，开压随着硅片减薄而提高、开压提高后填充也会提高。另外采用双 面微晶后，可见光的吸收系数比非晶硅低，更多的光可以穿透到硅片中产生光电流， 而不是光还没有进入到硅片内就被外面的材料吸收了，电流会提高；添加微晶材料后， 掺杂能力变好，导电路变好，电池串阻降低，填充因子提高。加入双面微晶后效率提 升0.6%，效率达25.2%，最高可达25.5%。

HJT降本路径之二：银浆国产化、银包铜、多主栅等

银浆降本路径：多主栅、无主栅、银浆国产化、银包铜、激光转印等。

多主栅：使得栅线变细、减少截面积和线长，从而降低银浆耗量，但需要更高精度串焊机。

无主栅：但要加一层膜，金刚玻璃计划23年考虑无主珊。

银浆国产化：进口银粉比国产高600元/kg。未来希望国产银浆价格能降到4000元/kg以内，

激光转印：可以降低线宽，能做到15-20μm的线宽（丝网目前能做到20μm），预计能下降30%的银浆。可以与银包铜叠加。

银包铜：高温情况下铜会氧化，所以只有低温银浆才能银包铜。银包铜理论上限是铜60%、银40%，KE是全球银包铜龙头，常州聚合在 国内企业中技术领先。

HJT降本路径之三和四：靶材降本、设备降本

靶材降本路径：铟回收、无铟技术。铟的成本为0.05元/W，下降空间有限。

铟回收：HJT电池PVD镀膜ITO时会打到PVD挡板、托盘上，可以回收90%。

无铟技术：隆基无铟HJT实验室效率已达到25.4%。可能就是在氧化铟、氧化锌当中可能掺铝、铜或镓，产生AZO、BZO、TCO材料。 氧化锌IZO和氧化铟锌ITO不同点在于，IZO光电特性比ITO差一点，但IZO成本更低，使用了多少百分比的氧化锌，相比ITO的成本就会 降低多少，如背面一半改成氧化锌，相比ITO成本会降低40%。氧化锌的可靠度更差，需要在电池设计上补强来改善，组件上用更好的封 装方式，防止水氧穿透。

设备降本路径：提升单机产量、零部件国产化。

提升单机产量：6000片-8000片-12000片。

零部件国产化：泵阀、控制器、传感器等零部件国产化。

2022年HJT设备投资额有望下降到3.5-4亿/GW，未来有望下降到3亿/GW。但设备成本下降实际仅影响0.01元/W，主要影响初始投资意 愿。