电子特气在各领域的应用情况怎样？

以下是关于电子特气在各领域的应用情况的介绍，如果有兴趣了解更多相关的内容，请下载原报告阅读。

1.电子特气在化学气相沉积的应用

化学气相沉积 ( CVD) 是通过气体混合的化学反应, 在硅片表面沉积一层固体膜的工艺。化学气相沉积通常包括气体传输至沉积区域、膜先驱 物的形成、膜先驱物附着在硅片表面、 膜先驱物粘附、膜先驱物扩散、表面反应、副产物 从表面移除、副产物从反应腔移除等八个主要步骤。化学气相沉积膜中所有的物质都源于 外部气源，原子或分子会沉积在硅片表面形成薄膜。

2.电子特气在刻蚀的应用

刻蚀是采用化学和物理方法, 有选择地从硅片表面去除不需要 的材料的过程。刻蚀的目的是在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形，分为湿法刻蚀和干法 刻蚀。湿法刻蚀是利用液态化学试剂或溶液通过化学反应进行刻蚀，干法刻蚀利用低压放 电产生的等离子体中的离子或游离基与材料发生化学反应, 或通过轰击等物理作用而达到 刻蚀的目的，其主要介质是气体。干法刻蚀的优点是各向异性 (即垂直方向刻蚀速率远大于 横向速率)明显、特征尺寸控制良好、化学品使用和处理费用低、蚀刻速率高、均匀性好、 良率高等，常用的干法刻蚀是等离子体刻蚀。

3.电子特气在掺杂的应用

掺杂是将需要的杂质掺入特定的半导体区域中, 以改变半导体 电学性质, 形成 pn 结、电阻、欧姆接触等。p 型半导体是在硅(锗)单晶中掺入少量三价元 素硼(或铝、铟、镓等)，n 型半导体是在硅(锗)单晶中掺入少量五价元素磷 (或砷、锑等), 掺杂工艺有扩散和离子注入等。扩散是在合适的温度和浓度梯度下,用 III、V 族元素占据硅 原子位置。离子注入是将具有很高能量的杂质离子射入半导体衬底中。常用的三价掺杂气 体有 B2H6、BBr3、BF3 等, 常用的五价掺杂气体有 PH3、POCl3、AsH3 、SbCl5 等。

4.电子特气在光刻的应用

光刻是指通过匀胶、曝光、显影等一系列工艺步骤，将晶圆 表面薄膜的特定部分除去而留下带有微图形结构的薄膜，将设计好的电路图形从光刻板转 移到晶圆片表面光刻胶上的工艺，包括涂光刻胶、前烘、曝光、显影、坚膜等工序。光刻 用电子气体（镭射气体）用来产生光刻机光源，大多为混合气，用不同比例的不同气体混 合在一起的电子气体混合物。

光刻气根据光刻光源波长的不同而不同，常见光刻气包含 Ar/F/Ne 混合气、Kr/Ne 混合气、Ar/Ne 混合气、Kr/F/Ne 混合气等等。光刻气大部分为 稀有气体，或稀有气体和氟的混合物，这种混合气体在高压受激发后，就会形成等离子体， 在这个过程中，由于电子跃迁，会产生固定波长的光线，激发出来的光线经过聚合，滤波 等过程就会产生光刻机的光源，再经过复杂的光路对硅晶圆进行光刻。