制程升级带动了薄膜沉积设备哪方面的需求？

我知道制程升级带动薄膜沉积设备用量提升。

制程升级增加薄膜沉积次数。摩尔定律推动元器件集成度大幅提高，使得集成电路线宽不断缩小， 制造工序愈为复杂。尤其当线宽向 7 纳米及以下制程发展时，当前市场普遍使用的光刻机受波长 的限制，精度无法满足要求，需要采用多重曝光工艺，重复多次薄膜沉积和刻蚀工序以实现更小 线宽，使得薄膜沉积次数显著增加。根据SEMI统计，20nm工艺大约需要1000道工序，而10nm 和 7nm 工艺所需工序超过 1400 道。随着制程升级，在实现相同芯片制造产能的情况下，晶圆厂 对薄膜沉积设备的需求量也将相应增加。以中芯国际 180nm8 寸产线和 90nm12 寸产线为例，每 万片月产能所需的 CVD 设备、PVD 设备分别增加 3 倍和 4 倍左右。

3D NAND 堆叠层数增加拉动薄膜沉积设备需求。FLASH 存储芯片领域，主流制造工艺已由 2D NAND 发展为 3D NAND 结构，增加集成度的主要方法不再是缩小单层上线宽而是增大三维立体 堆叠的层数，叠堆层数也从 32/64 层量产向 128/196 层发展，每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤， 导致晶圆厂对薄膜沉积设备需求量增加。根据东京电子披露，薄膜沉积设备占 FLASH芯片产线资 本开支比例从 2D 时代的 18%增长至 3D 时代的 26%。