半导体设备专题报告：刻蚀主赛道，有望加速导入国产设备.pdf
- 上传者：一树梨花
- 时间：2021/07/07
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刻蚀是用化学、物理、化学物理结合的方法有选择的去除(光刻胶)开口下 方的材料。被刻蚀的材料包括硅、介质材料、金属材料、光刻胶。刻蚀是与 光刻相联系的图形化处理工艺。刻蚀就是利用光刻胶等材料作为掩蔽层，通 过物理、化学方法将下层材料中没有被上层遮蔽层材料遮蔽的地方去掉，从 而在下层材料上获得与掩膜板图形对应的图形。
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