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电子行业深度分析：乘AI东风，碳化硅行业迎新催化。AIDC 供电走向 800V HVDC 技术架构，SiC 功率器件迎来新增量： AI 机柜功率密度持续飙升，传统低压供电已达物理极限，800V HVDC 高压直流架构是下一代 AI 数据中心的必然选择。英伟达 2025 年 5 月官方宣布，数据中心正从当前的 54V 机架供电向 800V HVDC 高 压直流架构过渡，目标是 2027 年实现该架构的规模化商用，以支撑 1MW 及以上超高功率密度 IT 机架的电力需求。随着 AI 服务器功耗 上行与机柜功率密度提升，对开关器件的耐压、效率与热管理提出更 高要求，SiC 功率器件在高压高频场景下具备更强适配性，需求有望 随 800V HVDC 方案推进而扩大。

SiC 的高导热特性，在超高功率密度的封装场景中具备优势： CoWoS 等先进封装已成为 GPU+HBM 高带宽互连的重要路径，但更高 TDP 与更大互连跨度使热点温升、CTE 失配与可靠性问题凸显。SiC 的 “高热导率+高刚性+高耐温”特性，在超高功率密度的封装场景中有 显著优势。在 COWOS 中介层应用中，SiC 热导率显著高于硅，且具有 高硬度与低热膨胀系数，有助于降低热点温度、抑制翘曲。作为散热 基座时，SiC 可缩短热扩散路径，提升整体散热与机械稳定性。在功 率器件协同路径中，SiC 器件的高耐压、高效率与高温可靠性可用于 近封装电源管理场景，以提升供电效率。随着 AI 芯片功率密度越来 越高，SiC 从散热基座到中介层的应用有望在高端芯片封装领域中开 始渗透。

SiC+光波导有望成为下一代智能眼镜光学系统主流方案： 终端形态向“眼镜化”演进，光学系统对折射率、厚度、杂散光控制 与环境稳定性要求显著提升；显示侧对高亮度与散热提出更严苛的要 求。传统玻璃与树脂基材已逼近物理性能极限，难以满足下一代智能 眼镜的核心体验要求。相比之下，碳化硅（SiC）凭借其超高折射率、 高热导率与高硬度的独特材料特性，在衍射光波导技术路线上实现了 代际突破，有望成为 AI 智能眼镜光学系统升级的主流方向。Meta 在 其 Orion AI 眼镜旗舰原型机中，正式采用碳化硅基光波导架构。