ASML深度报告:全球高端光刻领导者.pdf

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  • 时间:2026/04/13
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ASML深度报告:全球高端光刻领导者。逻辑芯片方面,此前受限于晶体管架构从FinFET向GAA切换阶段,EUV层数增长阶段性停滞。GAA并不高度依赖EUV曝光,更多是DUV或其他加工步骤,因此切换阶段EUV层数增长不显著。且对于早期GAA芯片,主要优化目标集中在器件电控优势、短沟道效应控制及良率学习,而EUV的价值通常在更进一步缩小金属线宽时才显现。GAA的切换预计2026年完成,且AI应用对PPA(功耗、性能、面积)的要求显著高于传统芯片,届时制程迭代重心或将重新回到提升光刻强度。

存储客户扩大EUV需求。存储客户如SK海力士将投资重心转移至第六代10nm级(1c)DRAM制程,EUV制程层数将随之增加至6层。现行的第五代10nm级(1b)制程约采用4-5层EUV曝光。

因此,我们认为2026-2030年先进制程和存储EUV制程层数或将进入上行通道。

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