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电子行业存储专题系列2：如何看待此轮存储周期的不同。核心观点：随着 AI 训练和推理对算力需求的快速增长，数据中心对 HBM、大容量 DDR5 及企业级 SSD 的存储需求快速增长，行业景气度持续提升。我们预计此轮周期和过去 几轮存储周期有本质的不同，此轮存储景气周期是由 AI 驱动而非消费电子，而存储配 置直接关系到 AI 系统的认知能力、功能实现及运行效率。当前，全球 CSP 大厂持续加 大 AI 基础设施投入，单颗 GPU 搭载的 HBM、DRAM、企业级 SSD 用量和容量显著增 加， AI 训练与推理过程中产生的海量数据（token）及输入输出文件，进一步推高了对 存储的需求，形成持续且强劲的驱动力。

需求端：AI 推理需求爆发是存储需求的主要驱动力。根据 TrendForce，预计 2026 年 八大主要 CSP 的合计资本支出将超越 7,100 亿美元，同比增长约 61%。若未来 AI 应 用爆发，企业盈利有望大幅提升，CSP 在 2027 年之后依旧有望大幅提升资本开支。虽 然存储涨价对消费电子需求存在较大冲击，但本轮周期是由 AI 数据中心和云服务商主 导，AI 推理需求爆发是存储需求的主要驱动力，且 AI 对存储需求拉动明显高于消费电 子下滑对存储需求的影响。

供给端：2026 年存储原厂目前新建的产能相对有限，新增产能大部分在 27H2 释放。 NAND 方面，2026 年海外存储大厂仅有铠侠 K2，三星西安 X2 产线、海力士清州 M15 等厂小幅扩产。DRAM 方面，2026 年仅有三星 P4、海力士 M15X 等厂小幅扩产。资 本开支方面，海外存储大厂资本开支未来主要聚焦 AI 方向，例如 HBM、DDR5 以及企 业级 SSD，而消费电子已不再是未来资本开支的重心。

供需关系：预计供需紧张持续至 2027 年之后。NAND 方面，我们测算 2025-2027 年， NAND 总需求分别为 988EB、1130EB、1501EB，NAND 总供给分别为 986EB、1071EB、 1447EB，预计 2026-2027 年 NAND 供需缺口分别为-5.26%、-3.60%。DRAM 方面， 我们测算 2025-2027 年，DRAM 总需求分别为 40EB、52EB、69EB，DRAM 总供给 分别为 41EB、48EB、68EB，2026-2027 年 DRAM 供需缺口分别为-7.22%、-1.77%。

价格端：在 AI 强劲需求下，我们预计存储价格上涨有望贯穿 2026 年全年。根据 TrendForce 最新存储器价格调查，2026Q2 因DRAM原厂积极将产能转向HBM、Server 应用，并采用“补涨”策略拉近各类产品价差，尽管终端市场面临出货下修风险，预估 整体一般型 DRAM(Conventional DRAM)合约价格仍将环比增长 58-63%。NAND Flash 市场持续由 AI、数据中心需求主导，全产品线连锁涨价的效应不减，预计第二季整体合 约价格将环比增长 70-75%。海力士表示在 AI 客户强劲需求的推动下，当前的存储价 格上涨趋势可能贯穿 2026 全年。