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半导体行业SiC深度分析：先进封装，英伟达、台积电未来的材料之选.pdf

上传者：A*****
时间：2025/11/06
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半导体行业SiC深度分析：先进封装，英伟达、台积电未来的材料之选。根据行家说三代半，9月2日，据中国台湾媒体报道，英伟达正计划在新一代GPU芯片的先进封装环节中采用12英寸碳化硅衬底，最晚将在2027年导入。

解决CoWoS封装散热问题成为AI算力芯片发展重要课题

根据《高算力Chiplet的热管理技术研究进展》，集成电路发展受到“功耗墙”的严重制约。英伟达和AMD在追求算力大幅提升的情况下，不得不继续提高芯片功率。主流算力芯片基本标配CoWoS封装，尤其英伟达算力芯片全部使用CoWoS封装。因此我们认为AI算力芯片的发展亟需解决CoWoS封装散热的难题。

SiC有望成为未来CoWoS发展中Interposer最优解

CoWoS核心价值在于interposer（中介层）的连通作用，Interposer当前与未来面临热管理、结构刚性等难题。根据北京大学、Nature等相关论文，当前的 Si和玻璃在材料特性上不及SiC与金刚石，而金刚石仍难以匹配芯片制造工艺，因此我们判断，因为SiC在性能与可行性两方面的优势，有望成为未来CoWoS interposer的最适宜替代材料。

如CoWoS未来采用SiC，中国大陆SiC产业链有望重点受益

如CoWoS未来将Interposer替换为SiC，且如按CoWoS 28年后35%复合增长率和70%替换SiC 来推演，则30年对应需要超230万片12吋SiC衬底，等效约为920万片6吋，远超当前产能供给。而中国大陆SiC具备投资规模、生产成本、下游支持的三大优势，未来有望重点受益。

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