半导体行业：深度梳理全球半导体龙头资本开支.pdf

AI服务器、数据中心及高性能计算需求持续增长，全球半导体制造投资进入上行阶段，资本开支向先进逻辑、先进DRAM、HBM、NAND及先进封装等高价值环节集中。

资本开支高位运行与结构集中

头部厂商投资总量维持高位，台积电2026年资本预算为600-640亿美元，约70%-80%用于先进制程；美光2026财年资本开支指引上调至超过270亿美元，增量主要投向存储及新增设施；三星电子计划投入超过110万亿韩元覆盖存储、代工及封装；SMIC资本开支预计约81亿美元。存储成为本轮扩产的重要增量，高带宽存储与先进制程需求同步推动产能扩张。

全球项目密集推进与工程需求兑现

全球主要半导体项目正由投资规划进入厂房建设、洁净室施工及设备搬入阶段。北美重点推进先进逻辑和本土存储制造，台积电亚利桑那项目、美光爱达荷及纽约基地加快建设；新加坡承接NAND制造及HBM封装，美光、联电、格芯等项目陆续量产或导入设备；韩国聚焦DRAM及HBM扩产，三星平泽及SK海力士龙仁集群进入集中建设期；中国大陆由晶圆代工、特色工艺和存储制造驱动，SMIC、华虹、长鑫及长江存储等项目持续推进。

晶圆厂投资测算框架

基于主要12英寸Fab样本测算，成熟制程及特色工艺晶圆厂单位投资约为5.9—16.7亿美元/万片月产能，平均值9.3亿美元，中国大陆项目相对较低，海外项目较高。先进逻辑项目单位投资显著更高，如台积电亚利桑那Fab 1约60亿美元/万片月产能。洁净室单位产能所需面积约为0.6—1.1万平方米/万片月产能。投资差异受工艺节点、设备配置、建设地区及投资范围等因素影响。