长鑫科技-688825-打破DRAM海外垄断的本土破局者，存储大周期下驶入成长快车道.pdf

研究目的与核心内容

本报告为长鑫科技新股研究报告，分析其作为国产DRAM破局者的发展现状、市场机遇与技术路径。长鑫科技成立于2016年，是中国规模最大、技术最先进的DRAM IDM企业，全球第四大DRAM原厂，2026年第一季度营收份额达7.7%。

核心数据

财务方面，2025年公司收入618亿元，同比增长156%；2026年第一季度营收508亿元，同比增长719%。2025年净利润71亿元，归母净利润19亿元，实现扭亏为盈；2026年上半年预计净利润660-750亿元，归母净利润500-570亿元，业绩爆发式增长。产能方面，合肥、北京3座12英寸晶圆厂预计2026年全部达产，上海新建DRAM及HBM产线预计2027年投产。

市场与竞争

DRAM为存储器最大细分市场，2025年占全球存储器市场约65%。AI驱动服务器成为最强增长动力，服务器DRAM需求占比预计从2024年38%提升至2026年50%-60%。三星、海力士、美光三大原厂合计营收份额90%，长鑫引领国产替代，但国产化率仅约23%，替代空间广阔。

技术追赶

制程方面，长鑫主力制程约16-17nm，落后国际原厂1-2代。产品迭代呈现分化：LPDDR5/5X已实现量产追平，LPDDR6进度基本持平；DDR5落后约3年但性能接近；HBM落后两个代际。4F²架构创新成为突破制程瓶颈的关键路径，长鑫布局领先，2023年底发布VCT+4F²方案，探索"以结构补制程"路径。

风险提示

行业需求不及预期、存储涨价不及预期、产能布局不及预期、信息滞后及行业规模测算偏差风险。