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2023年SiC行业深度报告:SiC东风已来
- 2023/08/22
- 1305
- 东吴证券
第一代半导体(间接带隙&窄带隙):1950年起,以硅(Si)为代表的半导体材料取代了笨重的电子管,推动了以集成电路为核心的微电子产业迅速发展。硅材料属于间接带隙(电子跃迁至导带时需要改变动量,光利用率低)且带隙窄(不耐压),适用于低压、低频、中功率集成电路,在光电子领域和高频高功率器件方面受限。
标签: SiC -
2022年SiC行业深度报告(下) SiC企业上下游厂商整合,强化竞争优势
- 2022/10/29
- 1107
- 财通证券
IDM推动上下游厂商整合,并购成为SiC领域主要发展方式。由于SiC衬底、器件更依赖工艺经验的积累和长时间的投入,上下游整合有助于快速反馈生产过程中的问题并迅速进行产线调整。各行业巨头上下游延伸趋势日益明显,通过并购缩短研发时间、快速掌握先进技术,全产业链布局进一步提升竞争优势。
标签: SiC -
2022年SiC行业深度报告(上) 新能源汽车、光伏储能是SiC市场增长的驱动力
- 2022/10/29
- 1122
- 财通证券
SiC是第三代宽禁带半导体材料,在禁带宽度、击穿场强、电子饱和漂移速度等物理特性上较Si更有优势,制备的SiC器件如二极管、晶体管和功率模块具有更优异的电气特性,能够克服硅基无法满足高功率、高压、高频、高温等应用要求的缺陷,也是能够超越摩尔定律的突破路径之一,因此被广泛应用于新能源领域(光伏、储能、充电桩、电动车等)。
标签: SiC 新能源汽车 光伏储能 -
2022年SiC行业市场现状及发展趋势分析 SiC器件在新能源汽车应用中具有更大优势
- 2022/07/05
- 1283
- 国盛证券
2022年SiC行业市场现状及发展趋势分析,SiC器件在新能源汽车应用中具有更大优势。新能源汽车推动碳化硅黄金十年。新能源汽车系统架构中涉及到SiC应用的系统主要有电机驱动器、车载充电器(OBC)/非车载充电桩和电源转换系统(车载DC/DC)。
标签: SiC 新能源汽车 -
碳化硅SiC行业研究:把握碳中和背景下的投资机会
- 2022/03/29
- 575
- 华泰证券
碳化硅SiC行业研究:把握碳中和背景下的投资机会。碳化硅属于第三代半导体材料,具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点。
标签: SiC 碳化硅 -
SiC产业深度报告:价格迎来甜蜜点,SiC应用驶入快车道
- 2021/11/02
- 533
- 国盛证券
技术进步,产品迭代结构持续优化。自Wolfpseed在2011年推出业内首款SiCMOSFET以来,过去十年受限于SiC电力电子器件价格、晶圆质量、工艺技术等限制,始终没有被下游大规模广泛使用。当前在技术层面,SiC衬底位错密度下降,SiC功率晶体设计不断迭代,产品性能,可靠性持续提升;主流晶圆尺寸由4英寸向6英寸过渡,领先厂商已经在大力扩产8英寸,主流产品从SiC二极管转变为SiCMOSFET。
标签: 电子器件 汽车电子 功率器件 SiC -
第三代半导体SIC行业投资机会分析:10年20倍成长
- 2020/09/22
- 1070
- 未来智库
SIC材料具有明显的性能优势。SiC和GaN是第三代半导体材料,与第一二代半导体材料相比,具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率等性能优势,所以又叫宽禁带半导体材料,特别适用于5G射频器件和高电压功率器件。
标签: 半导体 SiC -
第三代半导体之SiC行业专题报告
- 2020/09/19
- 2209
- 未来智库
全球SiC产业格局呈现美、欧、日三足鼎立格局,其中美国一家独大。随着中美贸易战的不断升级,半导体芯片领域成为了中美必争之地,伴随着华为再次被美制裁,高端装备等领域的国产化势在必行。此外,SiC材料和器件在军工国防领域的重要作用,也越来越突出。SiC外延设备推进产业链国产过程中,意义尤为重大。器件发展,材料先行,IDM模式将继续成为行业主流。SiC将会取代Si作为大部分功率器件的材料,它不会完全替代,因为数字芯并不适合采用SiC进行替代,因此SiC预计占整个半导体行业10%左右。SiC主要应
标签: 半导体 SiC 新材料
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