DRAM市场供需格局如何？

DRAM 市场供需逆转，价格上升带来明显盈利改善。

1. 概况：技术迭代速度放缓，服务器出货带动 DRAM 需求扩张

DRAM 制程节点已演进至 10+nm 临界阶段，技术升级逐步放缓。自 1968 年 Robert Dennard 正式收到 DRAM（Dynamic Random Access Memory） 专利以来，DRAM 已经发展了超过 55 年。1998 年三星首次将 DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory) 引入商用 ，使传输速率翻倍。后续演进方向主要朝着低压、高频、高预读取等 方向演进。

制程进步是 DRAM 升级的重要路径。三星、海力士、美光在 2016-2017 年 进入 1X(16nm-19nm)阶段，2018-2019 年为 1Y(14nm-16nm)，2020 年处 于 1Z(12nm-14nm)时代。后续，行业厂商朝着 1α、1β、1γ等节点持续 迭代，但均未突破 10nm 底线。由于 DRAM 以电容作为存储单元，在晶体 管变小时导致的电子泄漏和其他量子效应的增加会对存储性能及稳定性产 生严重影响，同时还面临着 EUV 设备及新材料引入等诸多挑战，各原厂均 预测在 2025 年前不会有 10nm 以下 DRAM 的出现。总体看平面 DRAM 发 展速度收敛，三大原厂产品高度趋同。长鑫，南亚等厂商制程落后 5-7 年， 在主流 DRAM 市场难以形成竞争力。根据制程节点分类，美光 DRAM 产品 平均制程节点领先于三星及海力士，处于世界最高水平。

长期来看，3D DRAM 是突破方向，各厂商仍处于研发阶段。平面缩放对于 未来十年 DRAM 密度的提升将不再足够，单片 3D DRAM（HBM 是多片堆 叠）技术被认为是潜在的长期解决方案。实现 3D DRAM 架构比 NAND 更 具挑战性，需要开发新的加工工艺、材料和存储单元几何结构，三星电子和 SK 海力士预计在接下来 2 到 3 年将会出现更明确的 3D DRAM 发展方向。

短期来看，DDR5 逐渐成为主流标准，LPDDR 笔电渗透率提升。DDR5 DRAM 标准最初计划于 2018 年发布，但最终由 JEDEC 于 2020 年 7 月发 布。新规格将主电压从 1.2V 降至 1V，最大数据速率加倍，并将芯片密度增 加 4 倍 (高达 64Gb) 。随着 CPU 制造商及模块制造商推出了下一代标准 的产品，下游标配 DDR5 的 PC 及手机出货量增加，DDR5 的渗透率正在稳 步提升，或将于 2024 年取代 DDR4 成为 DRAM 市场主力，改善厂商 ASP 及利润率。DDR6 则有望于 2028 年实现量产。DDR5 的高能效比同样也为 主机厂商提供了更多样的解决方案，以苹果为代表的 PC 厂商将 LPDDR 引 入笔记本电脑，在性能损失较小的情况下，通过 BGA 封装实现功耗与体积的显著提升，预计将带动 LPDDR 在可移动设备端市占率超 50%。

2. 需求：AI 服务器带动下游整体需求回暖，DRAM 价格改善优化公 司盈利表现

AI 服务器占比持续提升，存储规格成倍增长。AI 服务器需求主要对应美光 CNBU（占比最高）。2023 年，AI 服务器（搭载 GPU、FPGA、ASIC 等高 算力芯片）出货量近 120 万台，年增 38.4%，占整体服务器出货量的 9%， 占服务器 DRAM 容量的 20%，随着全球云厂商加大 AI 服务器资本开支， 预计 2026 年 AI 服务器出货量将占到总服务器出货量的 15%，占服务器 DRAM 容量的 29%。美光在业绩会上表示，一台 AI 服务器的 DRAM 使用 量是普通服务器的 6-8 倍。到 2026 年，预计服务器 DRAM（不含 HBM） 市场规模有望达到 321 亿美元。

以 DGX A100 为典型 AI 服务器配置，在服务器出货规模基本稳定的情况下， AI 服务器占比每提升 1 个百分点，对应 DRAM 出货量至少提升 3%。结合 通用服务器自身扩容趋势，未来 3 年预计服务器 DRAM 容量年均 CAGR 可 达 15-20%。

消费电子、PC 市场复苏，图形市场企稳，对应 DRAM 需求稳步扩张。消费 电子、PC 主要对应美光 MBU。2022 年，受新冠疫情滞后影响，全球消费 电子市场（含手机）及 PC 需求出现明显下滑，存储市场迎来冰点。随着电 子产品迭代周期到来、下游主机厂商库存优化，消费电子市场需求将复苏， PC 需求或出现反弹，预测 2024 年手机及 PC 出货量同比将分别有 4-8%/2- 3%增长。同时，以手机为代表的消费电子产品技术升级速度放缓，RAM 容 量提升成为迭代的重要标准，根据 Yole 预测，手机/PC 平均 DRAM 容量年 增速约为 9%/10%, 对应手机/PC DRAM 需求增速约为 12%-16%/10%- 12%。

图形显存需求属于美光 CNBU 的一部分。2022 年，“以太坊”为代表的大 量虚拟货币由 PoW（工作量证明）变更为 PoS（权益证明），叠加新冠疫情 前期游戏硬件需求的透支性消费，游戏硬件需求出现大幅度下滑。预计在游 戏模式不发生根本性变化（AR/VR）且未出现现象级游戏的情况下，游戏显 卡需求将长时间保持稳定。

3. 供给：HBM 挤出 15%以上产能，原厂资本开支削减开始见效

据美光，目前 HBM 成本约为 DRAM3 倍以上，消耗产能约为同容量 DRAM 4-5 倍，根据 HBM 全球需求计算，2024 年 HBM 出货容量约为 640mnGB 到 750mnGB，约挤占传统产能的 15%以上。

三大原厂减产步调统一，产能及出货均有所下滑。自 2022 年以来，三星、 美光、海力士 DRAM 资本开支逐渐收缩，2023 年 DRAM 资本开支减少约 33%，减产效果开始显现。