晶盛机电（300316）研究报告：装备与材料持续拓展，打造泛半导体平台型企业.pdf

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时间：2023/03/02
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晶盛机电（300316）研究报告：装备与材料持续拓展，打造泛半导体平台型企业。光伏需求快速增长，预计 2023-30 年全球装机复合增速达约 20%，有望带动硅片产能进一步扩张。硅片环节持续技术迭代，无论此前的单晶替代多晶、大尺寸化，还是正在进行的 N 型化，均对硅片设备提出了更高要求，有望刺激硅片设备升级。晶盛机电建立了覆盖长晶、截断、开方、滚圆磨面、切片、脱胶插片清洗等环节较为齐全的设备产品体系。公司持续研发并推动技术迭代，推出 5 代单晶炉，并率先开发和批量销售 G12 大尺寸设备。随着光伏行业的持续发展，下游硅片厂商先进产能持续投入，公司光伏设备产品将继续引领公司快速发展。此外，公司积极布局光伏电池片设备和组件设备，拓展更大市场。

半导体领域推动硅片设备国产替代，拓展功率与先进制程设备

当前硅片需求旺盛，但中国大陆地区硅片产能占比相对较低，硅片的国产替代空间广阔，国内硅片厂加快扩产，利好半导体硅片设备需求。公司在半导体 8-12 寸大硅片设备领域品类布局完善，围绕“长晶、切片、抛光、CVD”四大核心环节设备研发，实现 8 寸设备的全覆盖，12 寸长晶、切片、研磨、抛光等设备也已实现批量销售，产品质量已达国际先进水平，有望逐步推动硅片设备国产替代。此外，在功率半导体领域，公司开发了 SiC 长晶、切片、抛光、外延等设备，SiC 外延设备已实现批量销售；在先进制程领域，开发了 12 寸外延、LPCVD 等设备。

SiC 材料性能突出空间广阔，公司布局 SiC 衬底有望充分受益

SiC 电子器件具备开关频率高、散热要求低、换流器转换效率高、装置与电路复杂性低等优势，但受成本限制，渗透率仍较低。近年来，降价趋势初步显现，有望驱动 SiC 在功率器件、射频器件领域大规模应用。当前国内大尺寸 SiC 衬底进度仍落后于国际，海外主流大厂 2023 年有望实现 8 寸 SiC 衬底量产，但国内目前实现量产的主要为 4 寸，6 寸产能尚处于起步阶段。公司建设了 6 寸碳化硅晶体生长、切片、抛光环节的研发实验线，实验线产品已通过下游部分客户验证，2023 年有望实现量产。同时公司已成功生长出行业领先的 8 寸 SiC 晶体，实现 8 寸抛光片的开发，预计 2023Q2 将实现小批量生产，为大尺寸碳化硅衬底的广泛应用打下基础。