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兆易创新（603986）研究报告：2023产品丰富度提高，高端化趋势不变。大陆存储+MCU 龙头，产品矩阵不断丰富，高端化趋势不变。2004 年成立，存储产 品起家，后不断延伸发展 MCU、传感器、PMU，目前已是大陆存储+MCU 双龙头。 1）存储器：Nor+NAND+DRAM 全覆盖，大陆存储龙头，Nor 全球第三、大陆第一。 2）MCU：大陆 32 位 MCU 龙头。3）PMU：2021 年新的模拟产品线。4）传感器： 触控芯片全球第四，指纹芯片全球第三。根据兆易创新的产品手册，我们统计了 2021、2022、2023 年四大产品线的料号数量，将结合市场情况，以揭示兆易创新产 品丰富度的提升、产品高端化趋势，公司依靠产品的不断完善持续打开新成长空间。

Nor：大容量占比提升、发展车规，顺应行业需求。1）制程升级：从 65nm 向 55nm 升级，截止 21 年底，兆易 55nm 出货量占比超 40%，截止 6 月底占比接近 70%。2） 大容量占比提升：根据产品手册，兆易 2021/2022/2023 年小容量料号占比 37%/42%/34%，中容量占比 17%/17/16%，大容量占比 46%/41%/50%，大容量占比明 显提升。根据 Omdia 数据，受益于大容量需求的车用及工控领域需求增长，256Mb 及 以上大容量 Nor Flash 占比将从 2020 年的 25%提升至 41%。3）发展车规：2019 年 Nor 通过车规认证，容量覆盖 512Kb-2Gb，电压覆盖低压（1.65V-2V）、高压（2.7V- 3.6V）。2021/2022/2023 年小容量占比 27%/28%/28%，中容量 13%/20%/14%，大容量 60%/53%/59%，容量占比均衡。

NAND：料号数量稳重有升，拥抱车规。兆易 NAND 产品使用 38nm 和 24nm 制程， 容量涵盖 1Gb-8Gb，覆盖串行和并行两种接口，同时有车规产品。2021/2022/2023 年 总料号 38/42/44 颗，其中 SPI NAND 8/12/12 颗，并口 NAND 30/24/26 颗，车规 NAN D 0/6/6 颗，料号数量整体稳中有升。

DRAM：DDR3 容量覆盖 1Gb-4Gb，料号数量增加。利基 DRAM 全球 90+亿美金市 场，公司瞄定利基，2021 年推出 DDR4，2022 年推出 DDR3。根据产品手册，2022/2 023 年 DDR4 料号数量 18/12 颗，DDR3 料号数量 24/26 颗，DDR4 料号数量降低，DD R3 数量提升。从容量覆盖看，2022 年 DDR3 有 2Gb、4Gb 两种容量，2023 年新增 1G b，DDR4 目前仅覆盖 4Gb。从下游应用看，DDR3、DDR4 均可用于商规、工规，另 外 2023 年新增 KGD/KTD 料号。