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碳化硅器件有哪些分类？
- 提问时间：2023/02/08
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- 提问者：匿名用户
[1个回答]按照电阻性能的不同分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅基射频器件。功率器件又被称为电力电子器件，是构成电力电子变换装置的核心器件。电力电子器件是对电能进行变换和控制，所变换的“电力”功率可大到数百MW甚至GW，也可以小到数W甚至1W以下。电力电子装置正是实现电能高质量高效转换、多能源协调优化、弱电与强电之间控制运行、交流与直流之间能量互换、自动化高效控制等的重要手段，也是实现节能环保、提高电能利用效率的重要保障。射频器件在无线通讯中扮演信号转换的角色，是无线通信设备的基础性零部件，主要包括功率放大器、滤波器、开关、低噪声放大器、双工器等。
标签： 碳化硅 -
与硅相比，碳化硅具有什么优势？
- 提问时间：2022/11/25
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- 提问者：匿名用户
[1个回答]碳化硅在高功率、高电压、高频率上更具优势。与硅相比，碳化硅具有更优的电气性能，可满足高压、高温、高频、大功率条件下的应用需求。①耐高压：碳化硅击穿电场强度是硅的10倍，因此用碳化硅制备器件可极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度，并大大降低器件的导通损耗。②耐高温：禁带宽度越大，器件的极限工作温度越高，碳化硅禁带接近硅的3倍，可保证碳化硅器件在高温下工作的可靠性。此外，碳化硅相较于硅具有更高的热导率，有利于器件的散热，极限工作温度更高。硅器件的极限工作温度一般不超过300℃，而碳化硅器件极限工作温度可达到600℃以上。耐高温特性可以带来功率密度的显著提升，同时降低对散热系统的要求，使终端可以更...
标签： 碳化硅 硅 -
碳化硅材料在功率半导体器件的应用情况如何？
- 提问时间：2022/11/11
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- 提问者：匿名用户
[1个回答]碳化硅材料助力功率半导体器件性能腾飞。碳化硅属于第三代半导体材料，以其作为衬底和外延材料制作成的功率器件性能优异。碳化硅具有高临界磁场、高电子饱和速度与极高热导率等特点，使得其器件适用于高压、高频、高温的应用场景，相较于硅器件，可以显著降低开关损耗。因此，碳化硅可以制造高耐压、大功率的电力电子器件，下游主要用于新能源光伏、新能源汽车等行业。以碳化硅衬底材料制作的功率半导体器件主要有SiCMOSFET和SiCSBD。SiCMOSFET是一种功率开关器件，其与硅基IGBT电压等级、功率输出范围相近，其开关频率更高，并且在相同开关频率下损耗更小。SBD是肖特基二极管，常用于高频整流等场景。在采用碳化...
标签： 碳化硅 功率半导体 半导体器件 -
碳化硅器件生产流程及制造过程中的技术难度是什么？
- 提问时间：2022/10/28
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- 提问者：匿名用户
[1个回答]我来简单回答这个问题，如果你想更深入地了解，可以下载《碳化硅行业研究报告：多应用驱动供给缺口巨大，加速国产替代》这篇报告查看。碳化硅器件是通过CVD在碳化硅衬底上叠层外延膜，经过清洗、氧化、光刻、刻蚀、去光阻、离子注入、化学气相沉积沉淀氮化硅、抛光、溅镀、后加工等步骤后在SiC单晶基板上形成元件结构所得。其中，SiC功率器件主要包括SiC二极管、SiC晶体管和SiC功率模块。受制于上游材料生产速度慢、良品率低等原因，碳化硅器件具有较高制造成本。碳化硅器件制造具有一定技术难度：1）需要开发与碳化硅材料特性吻合的特定工艺，如：SiC具有高熔点使传统热扩散失效，需要采用离子注入掺杂法，并精准控制温度...
标签： 碳化硅 -
SiC碳化硅核心优势体现在哪？
- 提问时间：2022/10/28
- 浏览量：226
- 提问者：匿名用户
[1个回答]这个我知道，答案都来自报告《碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源车+光伏需求即将兴起，国产替代有望突破》，如果有兴趣了解更多相关的内容，请下载原报告阅读。1)耐高压特性：更低的阻抗、禁带宽度更宽，能承受更大的电流和电压，带来更小尺寸的产品设计和更高的效率；2)耐高频特性：SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象，能有效提高元件的开关速度（大约是Si的3-10倍），适用于更高频率和更快的开关速度；3)耐高温特性：SiC相较硅拥有更高的热导率，能在更高温度下工作。
标签： SiC 碳化硅 -
PVT法制备碳化硅单晶的难度在于什么？
- 提问时间：2022/10/24
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- 提问者：匿名用户
[1个回答]这个我知道，答案都来自报告《金博股份（688598）研究报告：碳碳热场龙头，新材料平台加速成型》，如果有兴趣了解更多相关的内容，请下载原报告阅读。1）温度场控制困难：长晶需要在2500℃高温下进行，对材料和温度控制要求高。2）生长速度缓慢：晶棒厚度每小时生长速度视尺寸大小约为0.2~1mm/小时。3）良率难以控制：SiC存在200多种晶体结构类型，其中仅六方结构的4H型（4H-SiC）等少数几种晶体结构的单晶型碳化硅才是所需的半导体材料，在晶体生长过程中需要精确控制硅碳比、生长温度梯度、晶体生长速率以及气流气压等参数。4）晶体扩径难度大：PVT法随着晶体尺寸的扩大，难度工艺呈几何级增长。目前碳...
标签： 碳化硅 -
Wolfspeed在碳化硅衬底领域具有哪些优势？
- 提问时间：2022/10/21
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- 提问者：匿名用户
[1个回答]你好，关于Wolfspeed在碳化硅衬底领域的优势，在《Wolfspeed研究报告：全球SiC衬底龙头发力车用功率器件》中有提及，具体信息可以查找原报告了解。领先的技术优势。作为全产业链布局的碳化硅领军企业，公司FY2021收入5.26亿美元：碳化硅材料收入2.39亿美元，占比45%；碳化硅器件收入2.87亿美元，占比55%。据公司预计，全球SiC材料市场2022年市场规模达7亿美元，公司材料业务全球市占率第一，市场份额达46%。SiC材料包括衬底和外延，公司材料收入主要来自于衬底。SiC衬底分为主要应用于新能源汽车领域的低电阻率导电型衬底和应用于5G、射频通讯领域的高电阻率半绝缘型衬底，20...
标签： Wolfspeed 碳化硅
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