最佳答案
由匿名用户编辑于2022/10/24 08:44
这个我知道，答案都来自报告《金博股份（688598）研究报告：碳碳热场龙头，新材料平台加速成型》，如果有兴趣了解更多相关的内容，请下载原报告阅读。
1）温 度场控制困难：长晶需要在 2500℃高温下进行，对材料和温度控制要求高。
2）生长速度缓 慢：晶棒厚度每小时生长速度视尺寸大小约为 0.2~1mm/小时。
3）良率难以控制：SiC 存在 200 多种晶体结构类型，其中仅六方结构的 4H 型（4H-SiC）等少数几种晶体结构的单晶型 碳化硅才是所需的半导体材料，在晶体生长过程中需要精确控制硅碳比、生长温度梯度、晶 体生长速率以及气流气压等参数。
4）晶体扩径难度大：PVT 法随着晶体尺寸的扩大，难度 工艺呈几何级增长。目前碳化硅功率器件的价格仍数倍于硅基器件，高成本一定程度限制了 其应用场景及市场渗透。
参考报告
金博股份（688598）研究报告：碳碳热场龙头，新材料平台加速成型.pdf
金博股份（688598）研究报告：碳碳热场龙头，新材料平台加速成型。光伏热场市占率领先，打造新材料平台。金博股份2007年完成碳纤维预制体与快速气相技术的研发与产业布局。公司独有的快速化学气相沉积工艺，将沉积时间缩短到300h以内，大幅降低生产成本。2020年上市以来公司经过多轮扩产，目前光伏碳/碳热场产品市占率约40%。公司迭代多代的技术、工艺及装备对各类碳基复合材料的制备具有通用性，通过底层原料、设备、工艺交叉组合，制备出不同类型碳基复合材料产品，广泛应用于光伏、半导体、氢能、汽车等产业。成本优势明显+降本路径清晰，市占率有望进一步提升。光伏碳/碳热场经历了2020年以来的供应紧缺，下游厂...
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