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碳化硅材料在功率半导体器件的应用情况如何？

• 提问时间：2022/11/11
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• 提问者：匿名用户

[1个回答]碳化硅材料助力功率半导体器件性能腾飞。碳化硅属于第三代半导体材料，以其作为衬底和外延材料制作成的功率器件性能优异。碳化硅具有高临界磁场、高电子饱和速度与极高热导率等特点，使得其器件适用于高压、高频、高温的应用场景，相较于硅器件，可以显著降低开关损耗。因此，碳化硅可以制造高耐压、大功率的电力电子器件，下游主要用于新能源光伏、新能源汽车等行业。以碳化硅衬底材料制作的功率半导体器件主要有SiCMOSFET和SiCSBD。SiCMOSFET是一种功率开关器件，其与硅基IGBT电压等级、功率输出范围相近，其开关频率更高，并且在相同开关频率下损耗更小。SBD是肖特基二极管，常用于高频整流等场景。在采用碳化...