碳化硅器件生产流程及制造过程中的技术难度是什么？

我来简单回答这个问题，如果你想更深入地了解，可以下载《碳化硅行业研究报告：多应用驱动供给缺口巨大，加速国产替代》这篇报告查看。

碳化硅器件是通过 CVD 在碳化硅衬底上 叠层外延膜，经过清洗、氧化、光刻、刻蚀、去光阻、离子注入、化学气相沉积 沉淀氮化硅、抛光、溅镀、后加工等步骤后在 SiC 单晶基板上形成元件结构所得。 其中，SiC 功率器件主要包括 SiC 二极管、SiC 晶体管和 SiC 功率模块。受制于上 游材料生产速度慢、良品率低等原因，碳化硅器件具有较高制造成本。

碳 化硅器件制造具有一定技术难度： 1）需要开发与碳化硅材料特性吻合的特定工艺，如：SiC 具有高熔点使传统热扩 散失效，需要采用离子注入掺杂法，并精准控制温度、升温速率、持续时间、气 体流量等参数；SiC 对化学溶剂具有惰性，应采用干刻蚀等方法，并优化和开发掩 膜材料、气体混合物、侧壁斜率的控制、蚀刻速率、侧壁粗糙度等； 2）碳化硅晶片上金属电极的制造要求接触电阻低于 10- 5Ω??2，符合要求的电极 材料 Ni 和 Al 在 100℃ 以上时具有较差热稳定性，但具有较好热稳定性的 Al/Ni/W/Au 复合电极材料接触比电阻高 10- 3Ω??2； 3）SiC 切割磨损高，SiC 硬度仅次于金刚石，对切割、研磨、抛光等技术提出了 更高的要求。