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碳化硅行业研究报告：多应用驱动供给缺口巨大，加速国产替代。第三代半导体在高频高压场景优势明显，碳化硅为核心材料。第三代半导 体材料具有禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、 抗辐射能力强等特点，在高频、高压、高温等工作场景中，有易散热、小 体积、低能耗、高功率等明显优势。碳化硅已成为目前应用最广、市占率 最高的第三代半导体材料，碳化硅器件全球市场规模超过 10 亿美元。

多应用领域驱动需求爆发，供给侧缺口巨大。碳化硅器件在电动汽车、光 电新能源、轨道交通等领域均存在广泛应用前景。碳化硅市场快速增长的 两大驱动力：1）新能源汽车加速渗透，800V 高压快充平台加速布局，拉 动车用碳化硅器件需求，我们测算 2025 年全球新能源车车用 6 英寸碳化 硅晶圆市场空间将达 143 亿元；2）风光储拉动碳化硅器件需求，我们测 算 2025 年全球风光储新增装机量将达 687GWh，带来 44.5 亿元 6 英寸碳 化硅晶圆需求量的增长。从供给端来看，碳化硅衬底、外延材料制作难度 大，碳化硅产业链产能受限，全球厂商持续投入，但仍存在巨大供给缺口。

各环节技术壁垒高海外龙头垄断，产业链加速国产替代。SiC 衬底占产业 链主要价值量，具有极高制造难度，得益于国内政策大力扶持，衬底领域 出现良好国产替代契机。SiC 外延设备仍呈现四大龙头垄断格局，国内厂 商紧追国际前沿加速切入外延晶片生产领域，已具备较高生产水平并逐渐 接近海外领先水平。新一代半导体材料促使全新的封装工艺产生，有望带 来价值量的提升。SiC 功率器件时代来临，国内企业紧握超车机会，SiC 器 件和 Si 器件价差不断缩小，国产替代进程有望进一步提速。

相关公司梳理：看好碳化硅国产替代进程，建议布局产业链相关机会。全 球碳化硅行业存在巨大供给缺口，国内多项政策扶持利好相应国产厂商， 国内上下游厂商积极布局扩产，有望持续加速抢占全球市场份额。建议关 注碳化硅领域产业链各环节投资机会，建议关注三安光电（碳化硅全产业 链 IDM，配合国际大客户验证相关产品）、斯达半导（SiC 车规主驱模块 性能领先，获得多家车企客户定点）、天岳先进（SiC 衬底获得大规模订 单，有望进入车规应用）、时代电气（高压电驱平台突破，大功率碳化硅 主驱产品 C-Power 发布）、士兰微（IDM 龙头厂商，快速上量 SiC 芯片生 产线）、东尼电子（SiC 衬底产能突破，加速国产替代）、露笑科技（SiC 衬底产能加速扩张）、北方华创（SiC 长晶炉设备领域龙头）等。