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半导体行业专题报告：HBM高带宽内存，新一代DRAM解决方案.pdf
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- 2023/04/25
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- 方正证券
半导体行业专题报告：HBM高带宽内存，新一代DRAM解决方案。JEDEC定义了三类DRAM标准，以满足各种应用的设计要求，HBM与GDDR属于图形DDR，面向需要极高吞吐量的数据密集型应用程序，例如图形相关应用程序、数据中心加速和AI。HBM演进必要性：解决存储墙瓶颈刺激内存高带宽需求。HBM（HighBandwidthMemory，高带宽内存）：一款新型的CPU/GPU内存芯片，将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起，实现大容量，高位宽的DDR组合阵列。通过增加带宽，扩展内存容量，让更大的模型，更多的参数留在离核心计算更近的地方，从而减少内存和存储解决方案带来的延迟。HBM提高有效...
标签： 半导体 DRAM -
半导体行业研究：存储器结构性分道篇-重内存.pdf
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- 2021/09/14
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- 国金证券
半导体行业研究：存储器结构性分道篇-重内存。虽然我们保守预期2022年全球内存DRAM市场将衰退10-15个点，DRAM合约价格将下跌30-35个点，直接影响DRAM大厂的营业利润率在这次下行周期至少超过15个点，但我们认为这是布局优质公司的机会。归因于摩尔定律趋缓，新设备如EUV单价提升拉高资本开支及折旧费用，加上人工智能服务器系统对于HBM高频宽内存需求的增加，服务器CPU的加速叠代更新到5/3nm及/20A制程工艺及从8到12通道内存模组的规格改变，DDR5/DDR6及L3/L5自驾车的陆续上路，中/低容量特殊利基型DRAM需求超过供给，这些趋势的改变将让DRAM位元密度需求增长加速（从...
标签： 半导体 存储器 DRAM EUV -
兆易创新深度研究报告：中国存储“芯”希望.pdf
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- 2021/06/03
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- 23
- 国金证券
当前兆易创新在全球NORFlash领域的市场占有率达18.8%，位列第三，其前两大竞争对手分别是位列第一的华邦电子和位列第二的旺宏电子。下面我们从产品布局、管理层的市场敏锐度和经营模式等三个角度探究兆易创新相对其他两家的优势。
标签： 存储器 存储芯片 MCU DRAM 兆易创新
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