半导体行业研究：存储器结构性分道篇-重内存.pdf

上传者：新**
时间：2021/09/14
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半导体行业研究：存储器结构性分道篇-重内存。虽然我们保守预期 2022 年全球内存 DRAM 市场将衰退 10-15 个点，DRAM 合约价格将下跌 30-35 个点，直接影响 DRAM 大厂的营业利润率在这次下行周期至少超过 15 个点，但我们认为这是布局优质公司的机会。归因于摩尔定律趋缓，新设备如 EUV 单价提升拉高资本开支及折旧费用，加上人工智能服务器系统对于 HBM 高频宽内存需求的增加，服务器 CPU 的加速叠代更新到 5/3nm 及/20A 制程工艺及从 8 到 12 通道内存模组的规格改变，DDR5/DDR6 及 L3/L5 自驾车的陆续上路，中/低容量特殊利基型DRAM 需求超过供给，这些趋势的改变将让 DRAM 位元密度需求增长加速（从过去五年 18%的 bit growth, 到未来 10年的 20-21% bit growth），加上长期价格的稳定来反映高资本开支，我们预期 DRAM 内存产业进入未来 10年的黄金时代，10 年内存营收复合增长率将达 21-22%，这类似于我们看到先进逻辑制程工艺产品的长期价格上涨通膨趋势，但 10 年逻辑芯片及晶圆代工营收复合增长率达 10-15%，明显低于内存器营收复合增长率。