存储芯片类型、发展路径、历史周期及供需格局分析

存储芯片千亿市场规模， DRAM和NAND为主流品类。

1.信息储存媒介不断变化，NAND和DRAM为当前主流

上世纪60年代，ICT产业不断发展，存储芯片行业萌芽。当时主要产品是超低容量DRAM芯片，用于计算机内存。70年代， EPROM和EEPROM芯片问世。这一阶段信息产业呈现“低基数高增速”发展，数据存储需求较小，仅数十亿美元市场规模。 90年代开始，NOR Flash芯片崛起，用于存储固件和数据。NOR Flash与DRAM形成存储芯片市场的两大支柱。总体市场规模 达数百亿美元。  21世纪以来，NAND Flash迅猛发展，用于固态硬盘等大容量存储。NAND Flash与DRAM并驾齐驱，共同主导存储芯片市场。 同时，NOR Flash市场地位被NAND Flash取代，存储芯片市场规模已达到近千亿美元。

在存储行业产品的市场占有率方面，DRAM以超过50%的份额稳居第一，紧随其后的是NAND，占比约为35%。Nor产品则 保持稳定，维持着约2%左右的市场份额。其他产品如EEPROM和SRAM等则各自占据约1%的市场份额。 DRAM：是一种动态随机存取存储器，它使用电容来存储数据。DRAM需要周期性地刷新数据 。 FLASH：是一种非易失性存储器，它使用浮动栅电容来存储数据。

在存储行业，市场集中度较高。主要是由于几家大型半导体公司掌握了大部分市场份额。DRAM（动态随机存取存储器） 和NAND FLASH是存储行业的两个主要细分市场。 2023年的DRAM市场中，三星和SK海力士合计共占比约67%的市场份额，美光占比28.5%，剩余不到10%的市场份额由南 亚、华邦等厂商占据。 2023年的NAND FLASH市场中，三星和SK海力士共占比49.5%的市场份额，铠侠占比21.6%，美光占比10.3%。

DRAM发展路径：向传输高速、低功耗演进

DRAM自上世纪六十年代问世以来，一直在电子行业中扮演着至关重要的角色。这种存储技术通过存储托盘在电容器 的状态来实现存储数据，具有高密度和相对密度的优势。 在发展过程中，按照应用场景，DRAM分成标准DDR、LPDDR、GDDR三类。JEDEC定义并开发了这三类标准，以帮助 设计人员满足其目标应用的功率、性能和尺寸要求。 同时，多年来各类型内存技术随着市场需求创新迭代，同时也在这个过程中不断衍生出新的技术品类，比如HBM、 LPCAMM等，驱动DRAM行业持续向前。

高传输速率和低功耗是未来DRAM发展的方向。可以看到，最新一代DDR5拥有超高频宽及低功耗优势，不仅传输速率能增加50％， 工作电压亦由DDR4的1.2V下降至DDR5的1.1V，能够提高整体系统能源效率。此外，DDR5模块配置电源管理IC，直接单独在DIMM模 块上执行电源控制，能够获得更加稳定的电源，并具备较佳的讯号完整性，进而优化能源效率。

在技术节点上，厂商正逐步极限物理制程演进。在DRAM技术方面，美光推出1β（1-beta）制程技术应用于16Gb容量版本的 DDR5内 存。美光1β DDR5 DRAM在系统内的速率高达7,200 MT/s，现已面向数据中心及PC市场的所有客户出货。基于1β节点的美光DDR5内 存采用先进的High-K CMOS器件工艺、四相时钟和时钟同步技术，相比上一代产品，性能提升高达50%，每瓦性能提升33%。

NAND发展路径：高密度存储和3D堆叠为主要趋势

HDD存储是“磁头+马达+磁盘”的机械结构，SSD则为“闪存介质+主控”的半导体存储结构。相比HDD早期发展，SSD是最近10年才呈现出 爆发式增长的存储方式，SSD存储方式在功耗和性能上相较HDD均有较好表现。

最早的RAM SSD可追溯至1976年，Dataram公司出售名为Bulk Core的SSD。随后几十年间，HDD在存储数据方面仍是主流选择，从20世纪90年 代末开始，部分厂商开始进入SSD的制造。三星为第一家选择进入SSD的巨头厂商，于2005年宣布进入SSD，随后东芝、美光、希捷、WD相 继宣布进入SSD领域，SSD市场于2010年进入繁盛阶段，2013年起，Pcle SSD进入消费者市场，2014年SDD软件生态并购企业级存储，2015年， 英特尔宣布开发出新型处理器3D Xpoint，2018年QLC开始应用于企业级市场，2019年，YMTC推出32层的Xtacking NAND样品，随后几年3D NAND开始不断演进。

2.多轮周期嵌套，AI需求正在创造行业第五轮周期起点

观历史周期之轮回，存储芯片现底部回暖趋势

2000年到2023年，全球的半导体销售额不断增长，从最初的约180亿美元的规模上升至2023年的约400亿美元的市 场规模，期间的年复合增长率平均保持在20%左右。在2009年随着智能手机的出现，改变了人们的生活方式，全 球半导体行业也迎来了爆发式的增长。2014年，4G手机元年的到来和通讯技术的升级，云计算、可穿戴设备、 VR/AR等更多种新型人机交互方式的出现，使得行业对各类半导体需求快速增长。

从存储芯片来看，3-4年时间约为一个周期，当前处于第五轮周期起点。从2000年之后，存储行业周期表现明显，电 子消费品的创新能快速提升存储芯片的整体需求，以2000、2009、2017年为例，是互联网时代、移动互联网、云计算 大规模投入的三个重要窗口期。而2004年和2020年的PC迭代与手机的换机周期导致市场反弹较为疲软，同时在各个 周期环节中，供给端的缩量增价等行为往往滞后于需求的快速爆发，因此在价格周期底部布局能够获得较大弹性。

存储公司的股价、存储合约价格和库存存在着一定的相关性。2001年-2022年区间，美光公司的股价和库存整体呈现向上的趋 势。将美光公司股价、存储合约价和库存水平三组数据在Eviews进行相关性分析，股价和合约价的相关性呈现中等相关 （0.46），股价和库存的相关性为较强相关（0.59）。仅将股价和库存两组数据拟合为强相关（0.75）。股价的攀升先于库存 最高点，在库存达到高点后，股价持续反弹，接着存储合约价微跌或者横盘、基本企稳。之后存储价格和股价共同处于缓慢上 升。

供需格局逐步改善，存储芯片价值稳步提升

23年上半年存储行业整体处于下行区间，三星、SK海力士、美光、西部数据和铠侠等厂商纷纷宣布减少 产能，厂商降低关于存储业务的资本性支出。各大厂商不约而同的减产计划促使存储周期提前，在存储 需求不断扩大的前提下，存储芯片的价格将会上升，提前进入复苏周期。

供给端减产持续，供应缺口预期在24Q2到来。目前根据测算，自2023年起，海外厂商的产能利用率和资本支出已显著减少。 预计2023年DRAM市场整体供给减少3.4%；NAND Falsh整体供应减少7.7%，其中23Q3-Q4季度为原厂减产窗口期。

传统领域存储容量逐步提升，AI等新蓝海带来新需求

智能手机的迭代升级将加大对LPDDR5/5X的存储需求。2023年上半年从各个手机品牌发布会看，采用高容量UFS4.0和 LPDDR5/5X的智能手机成为了产品卖点。2023年下半年，新款旗舰智能手机型号对UFS4.0和LPDDR5X的需求非常明确， 会引起对存储的高度需求。即将发布的旗舰智能手机，例如骁龙8Gen3，都配备了顶尖的嵌入式存储产品UFS4.0、 LPDDR5X。

根据IDC的数据，2023年中国智能手机市场价格段延续K形分化趋势。600美元（约合4,306元）以上高端市场份额达27.4%，同比增 长3.7个百分点。同时200美元（约合1,435元）以下低端市场份额恢复到27.5%，同比增长5.2个百分点。从趋势来看，2019年-2023年， 400-600美元（约合2,870元-4,306元）价格端的手机销量持续下滑，2023年只有10.4%。我们认为，高端消费人群维持购买力的同时， 更多中端用户开始升级选择旗舰产品来延长换机周期。同时随着各品牌旗舰机手机从LPDDR5升级为LPDDR5X，销售额市场更为庞 大的中低手机市场也会随着LPDDR5的价格下降，逐步从LPDDR4X升级为LPDDR5。从而使得智能手机总量上对LPDDR5的需求更大。