NAND Flash模组价格走势分析

NAND Flash 模组端接力涨价，DRAM 拆板颗粒景气可期。

NAND Flash 上游 wafer 端价格反弹幅度显著，中游模组端价格开启涨价主升浪。存储市 场周期性特征明显，23Q3 以来，随着终端需求边际回温叠加减产的效益展现，存储市况 出现改善迹象，主流存储芯片产品价格触底反弹。目前 A 股上市公司中以销售 NAND Flash 类为主，截止 2024 年 1 月末，256Gb TLC/512 Gb TLC wafer 合约价格分别上涨至 1.74/3.30 美元，环比 2023 年 12 月末涨幅为 6.1%/6.5%，自 2023 年 8 月底部起涨幅分别达到 82%/123%；TLC 固态硬盘 256GB/512GB 价格涨至 26.4/37.0 美元，环比 2023 年 12 月末 涨幅分别为 23.4%/23.7%，创本轮底部起单月最大涨幅。上游原厂控制资源供应，存储供 应端保持强势，上游 wafer 资源价格持续拉涨，而随着原厂库存改善与需求端边际好转， 一季度原厂成品端价格也全面出现大幅上涨。尤其是涉及服务器、手机市场以及信创行 业的 design-in 存储产品，相关资源和成品价格强势上涨，开启涨价主升浪。

模组价格与上游资源涨幅具备较强相关性，价格传导正当时。一轮周期内模组价格对于 上游资源涨跌幅的传导幅度普遍在 50%~70%左右。2019 年 6 月 NAND Flash 市场报价开 始触底反弹，256Gb wafer 至高点涨幅 72%（2019.6~2020.4），256GB SSD 合约价至高点 涨幅 34%（2019.6~2020.4），模组传导晶圆涨幅 47%。2023 年 8 月 NAND Flash wafer 市 场报价开始触底反弹，至 2024 年 1 月末 256Gb wafer 涨幅 82%（2023.8~2024.1），2023 年 9 月 NAND Flash 模组市场报价开始触底反弹，至 2024 年 1 月末 256GB SSD 合约价 涨幅 37%（2023.9~2024.1），模组传导晶圆涨幅达到 45%，考虑到技术进步带来的主力消 费品代际上移，我们选取更具参考价值的 512G 产品作为参考，此轮底部至今 512Gb wafer 和 512GB SSD 合约价分别涨幅 38%和 123%（wafer 取 2023.8~2024.1，SSD 取 2023.9~2024.1），模组传导晶圆涨幅仅 31%，展望后市，随着节后新一轮备货需求浮现， 模组产品仍具备较高涨价预期。

景气周期日渐深入，渠道价格倒挂现象或将逐步改善。模组 2021 年存储行业处于景气周 期，国内存储模组龙头江波龙毛利率约 20%，净利率约 10%，当年公司晶圆成本 61.6 亿 元，占营收比重约 63%。2021 年 TLC 闪存 512Gb 晶圆均价在 4.5 美金左右，TLC 固态 硬盘 512GB 均价在 55 美金左右，以 GB 单位计价，晶圆/SSD 售价约 65%，与报表端基 本吻合，表明景气度上行时产品周转较快。而在底部向上反弹的初期，成交量逐步活跃， 在模组厂周转不算快的阶段，原厂晶圆售价先行急涨，而 SSD 等成品售价涨幅缓（无论 原厂或模组厂），故晶圆采购价/模组成品售价会偏高，此阶段模组厂收益主要依靠前期底 部位置所储备的低价晶圆赚取库存收益。当前渠道 wafer/SSD 超过 100%，模组厂成本滚 动上升令渠道面临倒挂加剧的压力，随着存储景气周期逐步演进，后续 SSD 较 wafer 或 有超额涨幅。

供需齐助力，存储价格触底反弹。目前，终端市场库存已逐渐降至健康水位，主要终端 需求出现回暖迹象，据 Trendforce 数据，在经历数季度的价格下跌后，主流存储芯片产 品合约价在 23Q4 已实现触底反弹。eMMC/UFS 方面，受智能手机客户库存消化顺利、 需求持续回稳影响，预估第一季 eMMC/UFS 合约价季涨幅约 18~23%。Enterprise SSD 方 面，来自中国 CSP、Server 品牌业者的订单支撑，24Q1 Enterprise SSD 市场需求呈现淡季 不淡，带动 Enterprise SSD 合约季涨幅约 18~23%。Client SSD 方面，PC OEM 拉货动能 持续刺激，另随着 PCIe 4.0 SSD 渗透率持续上升，笔电客户对于供应商报价上修接受度 提升，预估 Client SSD 24Q1 合约价季涨幅约 15~20%。NAND Flash Wafer 方面，由于短 期涨幅已高，模组厂开始销售 Wafer 库存锁定获利及维持营运现金流，导致买方追价意 愿降低，涨幅有所收敛但仍呈上升趋势。

DRAM 市场价格逐步复苏，拆板市场景气可期。根据 TrendForce 预测数据，24Q1 DRAM 合约价季涨幅约 13~18%，且主要品类涨幅均不低于 23Q4，其中 Mobile DRAM 持续领 涨。较之 NAND Flash 晶圆端短期急涨，DRAM 颗粒涨势循序渐进，后续模组厂 DRAM 颗粒滚动采购成本涨幅预期较 NAND Flash wafer 更高，更具性价比的拆板颗粒或迎来显 著买气，同时三星/海力士等原厂缩减 DDR4 世代产能，后市消费市场海量需求将更多由 拆板市场承接，且该业务模式核心在于低回收成本和高周转，产业逻辑非单纯依靠价能 驱动，2024 年拆板市场供应端有望显著回温。