电压对碳化硅外延片技术有何影响？

电压越高，外延技术难度越大。

1、电压越高对外延厚度和掺杂浓度均匀性要求越高，高压生产难度较大。一般低压在600伏，需要的外延的厚度可能就是6μm左右，中压1200-1700伏，需要的 外延厚度就是10-15μm。高压10000V以上，需要100μm以上。因此随着电压的增加，外延厚度随之增加，高质量外延片的制备也就非常难，尤其在高压领域，重要的 就是缺陷的控制。

2、在中、低压应用领域，碳化硅外延的技术相对比较成熟。外延片核心参数厚度、掺杂浓度可以做到相对较优的水平，基本上可以满足中低压的SBD、JBS、 MOS等器件的需求。

3、在高压领域外延的技术发展相对比较滞后。目前外延片需要攻克的难关还很多，主要参数指标包括厚度、掺杂浓度均匀性、三角缺陷等，缺陷多主要影响大电 流的器件制备，大电流需要大的芯片面积。