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碳化硅外延片成本结构及价格发展趋势如何？
- 提问时间：2023/02/08
- 浏览量：1477
- 提问者：匿名用户
[1个回答]外延片成本中原材料成本占比最高，未来随着成本的下降，外延片价格有望下降。1、外延片的成本结构，原材料成本占比是52%，设备折旧成本是15%，剩下的劳动力、洁净室和研发成本的占比分别是14%、12%和7%。2、伴随衬底价格降低，未来外延价格有下降趋势。基于SiC衬底，外延环节普遍采用化学气相沉积技术(CVD)获得高质量外延层，随后在外延层上进行功率器件的制造。伴随SiC衬底价格的降低，预计未来外延价格也将呈现下降趋势，据CASA，2020年SiC外延片价格约为128元/平方厘米，预计到2025年，价格将会出现明显下降，至2045年SiC外延片价格将降至71元/平方厘米。
标签： 碳化硅 外延片 -
电压对碳化硅外延片技术有何影响？
- 提问时间：2023/02/08
- 浏览量：316
- 提问者：匿名用户
[1个回答]电压越高，外延技术难度越大。1、电压越高对外延厚度和掺杂浓度均匀性要求越高，高压生产难度较大。一般低压在600伏，需要的外延的厚度可能就是6μm左右，中压1200-1700伏，需要的外延厚度就是10-15μm。高压10000V以上，需要100μm以上。因此随着电压的增加，外延厚度随之增加，高质量外延片的制备也就非常难，尤其在高压领域，重要的就是缺陷的控制。2、在中、低压应用领域，碳化硅外延的技术相对比较成熟。外延片核心参数厚度、掺杂浓度可以做到相对较优的水平，基本上可以满足中低压的SBD、JBS、MOS等器件的需求。3、在高压领域外延的技术发展相对比较滞后。目前外延片需要攻克...
标签： 碳化硅 外延片 -
碳化硅外延片制作方法有几种？
- 提问时间：2023/02/08
- 浏览量：513
- 提问者：匿名用户
[1个回答]我知道CVD法是目前使用最广泛的碳化硅外延片制作方法。1、外延是一种常用的单晶薄膜制备技术，和Si器件工艺有所区别，几乎所有的SiC电力电子器件工艺均在4H-SiC同质外延层上实现，衬底只是起到支撑和导电的作用。现阶段SiC薄膜外延的方法主要包括：化学气相淀积（CVD）、分子束外延（MBE）、液相外延法（LPE）、脉冲激光淀积和升华法（PLD）等。2、化学气相沉积（CVD）是最为普及的4H-SiC外延方法。其优势在于生长过程中气体源流量、反应室温度以及压力均可以有效控制，大幅降低了外延过程中的随机因素，工艺稳定性好；外延过程中通过调整各种气体的流量可以精准控制外延层的厚度、掺杂浓度以及掺杂类型...
标签： 碳化硅 外延片
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