碳化硅衬底未来发展趋势有哪些?

碳化硅衬底未来发展趋势有哪些?

最佳答案 匿名用户编辑于2023/02/08 13:31

未来碳化硅衬底将向大尺寸发展,并且价格将下降。

1.产线向大尺寸转移

全球SiC市场6英寸量产线正走向成熟,领先公司已进军8英寸市场。 目前包括罗姆、Ⅱ-Ⅵ、Wolfspeed已具备成熟6英寸SiC衬底产线,正在向 8英寸市场进行开拓,例如,Wolfspeed的第一条8英寸SiC产线已在2022年 Q2开始生产,标志着全球第一条8英寸SiC产线的投产。

国内正在开发项目以6英寸为主。目前虽然国内大部分公司还是以4寸 产线为主,但是产业逐步向6英寸扩展,随着6英寸配套设备技术成熟后,国 产SiC衬底技术也在逐步提升大尺寸产线的规模经济将会体现,目前国内6英 寸的量产时间差距缩小至7年。更大的晶圆尺寸可以带来单片芯片数量的提 升、提高产出率,以及降低边缘芯片的比例,研发和良率损失部分成本也将 保持在7%左右,从而提升晶圆利用率。

2.SiC衬底价格将下降

衬底直径及大直径衬底占比将不断增加,助力全产业链降本。预计未 来30年,大尺寸衬底的比例将不断增加,在大部分衬底提供商具备新型大尺 寸量产能力,一轮尺寸更新周期迭代完成后,衬底单位面积价格会迎来相对 快速的降低。

SiC衬底价格会随着尺寸增加有所下降,同时进一步带来销量的稳步上 升。目前衬底发展最重要的方向趋势是扩大直径,这会降低衬底生产成本, 进而降低售价,价格的下降也会加速SiC衬底在各领域内的渗透。根据CASA 数据预测,SiC衬底和外延随着产业技术逐步成熟(良率提升)和产能扩张 (供给提升),预计衬底价格将以每年8%的速度下降。

参考报告

2022中国SIC碳化硅器件行业深度研究报告.pdf

2022中国SIC碳化硅器件行业深度研究报告。SiC碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料,是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。碳化硅原材料核心优势体现在:1)耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;2)耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;3)耐高温特性:SiC相较硅拥...

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