扇入型晶圆级封装工艺流程分为几个步骤？

如果你对该问题感兴趣的话，推荐你看看《半导体先进封装深度报告：超越摩尔定律，先进封装大有可为》这篇报告，下面是部分摘录的内容，具体请以原报告为准。

1. 树脂涂布：在整片晶圆表面涂一层环氧树脂，将覆盖在晶圆上方粘着垫(Bond pad) 的环氧树脂以蚀刻方式去除。

2. 金属蒸镀：使用薄膜成长生成金属薄膜，再蚀刻将不需要的金属薄膜去除，形成 金属柱(Plug)。

3. 树脂涂布：在整片晶圆表面再涂一层环氧树脂，覆盖在晶圆上方的金属柱，把金 属柱完全覆盖起来。

4. 表面研磨：使用化学机械研磨将整片晶圆表面的环氧树脂与金属柱磨平，使晶圆 上方粘着垫的金属柱露出。

5. 上金属球：以机械钢嘴将金属球加压加热全部一次打在晶圆上方露出的金属柱上， 相当于是传统集成电路封装的外部金属球。

6. 晶粒切割：使用钻石刀将晶圆沿切割线切开，得到封装好的 IC。