半导体行业先进封装专题报告：HBM需求井喷，国产供应链新机遇.pdf

半导体行业先进封装专题报告：HBM需求井喷，国产供应链新机遇。算力带动 HBM 需求井喷，HBM 持续迭代升级。与 DDR 对比，HBM 基于 TSV 工 艺与处理器封装于同一中介层，在带宽、面积、功耗等多方面更具优势，缓 解了数据中心能耗压力及带宽瓶颈。训练、推理环节存力需求持续增长、消 费端及边缘侧算力增长打开 HBM 市场空间。2022 年全球 HBM 市场规模约为 36.3 亿美元，预计至 2026 年市场规模将达 127.4 亿美元，CAGR 达 37%。 HBM 持续迭代升级，2023 年主流 HBM 从 HBM2E 升级为 HBM3 甚至 HBM3E，HBM3 比重预估约为 39%，2024 年提升至 60%。当前 HBM 市场仍由三大家主导， 2022 年全年 SK 海力士占 50%，三星占 40%，美光占 10%。

TSV 为 HBM 核心工艺，电镀、测试、键合需求提升。TSV 为 HBM 核心工艺， 成本占比接近 30%，是 HBM 3D 封装中成本占比最高的部分。TSV 通孔填充 对性能至关重要，铜为主流填充材料。TSV 成本结构中通孔填充占比 25%， 驱动电镀市场规模增长。TECHCET 预计 2022 年先进封装和高端互联应用中， 电镀材料全球市场规模近 10 亿美元，到 2026 年预计超过 12 亿美元。HBM 需要进行 KGSD（Known Good Stacked Die）测试，拉动测试需求。HBM 高带 宽特征拉动键合需求，从 μbump 到 TCB/混合键合，推动固晶步骤和固晶机 单价提升。

SK 海力士技术领先，三星/美光加速追赶。1）SK 海力士：技术领先，核心 在于 MR-MUF 技术，MR-MUF 能有效提高导热率，并改善工艺速度和良率。SK 海力士于 2021 年 10 月率先发布 HBM3，2023 年 4 月公司实现了全球首创 12 层硅通孔技术垂直堆叠芯片，容量达到 24GB，比上一代 HBM3 高出 50%，SK 海力士计划在 2023 年年底前提供 HBM3E 样品，并于 2024 年量产，公司目 标 2026 年生产 HBM4；2）三星：万亿韩元新建封装线，预计 25 年量产 HBM4。 为应对 HBM 市场的需求，三星电子已从三星显示（Samsung Display）购买 天安厂区内部分建筑物和设备，用于建设新HBM封装线，总投资额达到7000- 10000 亿韩元。三星预计将在 2023Q4 开始向北美客户供应 HBM3；3）美光： 2024 年量产 HBM3E，多代产品研发中。美光在此前的财报电话会议上表示 将在 2024 年通过 HBM3E 实现追赶，预计其 HBM3E 将于 2024Q3 或者 Q4 开始 为英伟达的下一代 GPU 供应。11 月 6 日美光在台湾台中四厂正式开工，宣 布将集成先进的探测和封装测试功能，生产 HBM3E 等产品。