碳化硅设备行业深度报告:多技术并行,碳化硅衬底切片设备加速国产化.pdf
- 上传者:老*
- 时间:2023/04/26
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碳化硅设备行业深度报告:多技术并行,碳化硅衬底切片设备加速国产化。 碳化硅材料兼具高性能+低损耗优势,晶体生长和切割是产业化瓶 颈。优势:1)高性能:碳化硅相比硅有四大优势:大带隙、大载流 子漂移速率、大热导率和大击穿电场,做成的器件对应有四高性能: 高功率、高频率、高温和高电压。2)低损耗:SiC 材料导通电阻低, 制作的器件漂移层掺杂浓度更高也更薄,相比硅基器件开关损耗和系 统损耗较低。瓶颈:晶体生长慢、工艺可控性差、扩径难度高;碳化 硅硬度高、脆性大、化学性质稳定,切割加工难度大,造成行业多技 术路线并存的现状,也是当前国产化进程的难点。
新能源汽车+光伏需求增长刺激产能扩张,我们测算2026年碳化硅 设备市场空间超 250 亿。1)供给端:我们预计 2026 年碳化硅衬底名 义产能达 839.2 万片,对应 251.8 亿设备总市场空间,48.0 亿的新增 市场空间,其中切片设备占比 14%。2)需求端:目前新能源车是导 电型碳化硅衬底最大应用领域,光伏是第二大应用市场,我们测算到 2026 年导电型碳化硅衬底合计有 455.7 万片的新增潜在市场需求, 而我们估计导电型衬底有效产能仅为 397.3 万片,存在 58.4 万片的 有效产能缺口,对应约 29.2 亿元设备投资空间。
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