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拓荆科技（688072）研究报告：中国半导体CVD设备龙头国产化持续放量。拓荆科技是目前国内唯一产业化应用集成电路 PECVD 和 SACVD 设备的厂商， 也是国内领先的 ALD 设备厂商。公司是国内半导体 CVD 设备龙头，主要产品包 括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常 压化学气相沉积（SACVD）设备三个产品系列，是国内唯一产业化应用集成电 路 PECVD 和 SACVD 设备的厂商，也是国内领先的 ALD 设备厂商，已配适 180-14nm 逻辑芯片、19/17nm DRAM 及 64/128 层 FLASH 制造工艺需求，广 泛应用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等 国内主流晶圆厂产线，打破了国际厂商对国内市场的垄断。2021 年公司实现营 业收入 7.58 亿元，其中 PECVD/SACVD/ALD 设备收入分别为 6.75/0.41/0.29 亿 元，营收占比分别为 89.1%/5.4%/3.8%。

全球半导体薄膜沉积市场年复合增长率为 14.6%，国产化率有待提升。全球半 导体薄膜沉积市场 2020 年市场空间约为 172 亿美元，预计到 2025 年将达到 340 亿美元，年复合增长率为 14.6%，随着产线的逐渐升级，晶圆制造的复杂度和 工序量都大大提升，在实现相同芯片制造产能的情况下，晶圆厂对薄膜沉积设备 的需求量和性能也将相应增加。在 CVD 设备市场中，应用材料、泛林半导体和 TEL 全球占比约 30%、21%和 19%，三大厂商占据了全球约 70%的市场份额； 在 ALD 设备市场中，TEL 和 ASM 分别占据了 31%和 29%的市场份额，剩下 40% 的份额由其他厂商占据。根据亚化咨询统计及预测，薄膜设备 2020 年的国产化 率在 10-15%之间，预计 2025 年在 20-25%之间，国产化率有待提升。

公司 PECVD 领先优势明显，ALD 和 SACVD 将成为新的增长点。薄膜沉积设备 作为晶圆制造的三大主设备之一，2020 年其投资规模占晶圆制造设备总投资的 25%，仅次于刻蚀设备，其中 PECVD、ALD 和 SACVD 在薄膜沉积设备市场份额 占比分别为 33%、11%和小于 6%，PECVD 设备占比最大。公司主要产品为 PECVD、ALD 和 SACVD，卡位优势明显。其中 PECVD 设备在 28nm 及以上制 程逻辑产线基本可以实现各类薄膜工艺的覆盖，14nm 先进制程节点在验证中； PEALD 设备可以覆盖逻辑芯片 55-14nm SADP、STI 工艺及存储领域，已实现 产业化应用，ThermalALD 主要应用于 28nm 以下制程逻辑芯片，正在研发中； SACVD 设备可以覆盖 12 英寸 40/28nm 以及 8 英寸 90nm 以上的逻辑芯片制造 工艺需求。未来 ALD 和 SACVD 将逐步进入放量期，有望成为公司新的增长点。