电子行业专题研究：SCM存储，AI时代存储分级的必选项.pdf

研究背景与核心命题

本报告由国盛证券电子研究团队发布，聚焦SCM（存储级内存）存储技术在AI时代数据中心架构中的战略定位与投资机遇。核心命题在于：随着大模型推理、长上下文、KV Cache、RAG和向量检索等AI应用场景的扩展，传统DRAM-NAND二元存储架构面临性能空档，SCM作为中间层级成为必选项。

技术定位与产品演进

SCM需同时满足较传统闪存更快的速度与NAND非易失特性。铠侠第二代XL-FLASH已实现批量生产，提供128Gb SLC与256Gb MLC规格，读取延迟控制在5微秒以内，预计英伟达storage next于2027年开始应用后将放量。SLC NAND擦写寿命约100,000次，显著优于MLC/TLC/QLC，但成本较高；PCM相变存储器则在写入周期、访问时间、耐力等方面具备优势，英特尔Optane DCPM已验证其应用价值。

AI工作负载的架构重塑

未来数据中心存储呈层级化分工：DRAM承担主内存、HBM服务GPU高带宽访问、TLC/QLC承担大容量存储、SCM填补低时延非易失扩展层级。AI推理中的碎片化、高频、实时路径访问特征，使传统SSD擅长大块顺序读写的优势无法发挥，XL-FLASH价值被放大。同时，KV Cache等业务的覆盖写特征抬升DWPD，驱动pSLC/pMLC方案与高比例OP配置。

投资机遇的三层分解

介质层：SLC NAND面临量增（SCM需求爆发）与价增（2026年下半年合约价格较上半年有望调涨120%-170%）双重逻辑，建议关注普冉股份、东芯股份、兆易创新、江波龙、新存科技；CXL层：互连芯片市场2024年约430万美元，预计2030年达17.03亿美元，年均复合增长率170.2%，建议关注Marvell、Astera Labs、澜起科技；配套芯片层：企业级SSD主控芯片价格25-100+美金，VPD芯片随eSSD需求同步扩张，建议关注联芸科技、聚辰股份、大普微。

风险提示

下游AI算力需求不及预期、高端SLC产品研发与客户导入进度滞后、地缘政治导致的供应链扰动。