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国内先进制程晶圆制造技术替代方案有哪些？
- 提问时间：2025/04/21
- 浏览量：111
- 提问者：匿名用户
[1个回答]由于极紫外(EUV)光刻机的供应限制，及其采购和使用的高昂成本，中国和海外企业积极寻求其的替代方案。新工艺、三维异构/先进封装、新材料、新型晶体管结构在内多种替代方案应运而生，为中国半导体产业在缺乏极紫外光刻机的条件下继续提升工艺制程创造了可能。1.多重图形化技术，有望暂时解决燃眉之急采用193nm光源的DUV光刻机，其极限分辨率为38nm；故集成电路中微小结构成型，通常需要使用多重图形化技术。多重图形化技术主要包括：自对准多重图形(SAQP/SADP)、多重曝光刻蚀(LELE/LELELE)两大类。在缺乏EUV光刻机的条件下，多重图形化技术，未来有望广泛应用于中国大陆的先进制程产线。SAQP...
标签： 晶圆制造 先进制程 -
SiC晶圆制造特定工艺与Si工艺的差异在哪？
- 提问时间：2023/02/08
- 浏览量：421
- 提问者：匿名用户
[1个回答]SiC晶圆制造特定工艺与Si工艺的一些差异点主要在于以下几点。（1）光刻对准。由于SiC晶圆是透明的，因此CD-SEM和计量测量变得复杂，光刻对准、设备传送取片等难度较大。（2）蚀刻工艺。由于SiC在化学溶剂中呈现惰性，因此同光使用干法蚀刻。则掩膜材料、掩膜蚀刻的选择、混合气体、侧壁斜率的控制、蚀刻速率、侧壁粗糙度等都需要重新开发。（3）高温大剂量高能离子注入工艺。由于SiC器件的特性，SiC扩散温度远高于硅，传统的热扩散在碳化硅中并不实用，掺杂时只能采用高温离子注入的方式。（4）超高温退火工艺。高温离子注入会破坏材料本身的晶格结构，因此需要在惰性气体中高温退火来恢复结构，通常退火温度高达16...
标签： SiC 晶圆制造
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