赛晶科技护城河体现在哪？

从日立能源（原瑞士 ABB 半 导体）技术基因到 IGBT/SiC 双轮驱动的自主创新。

1. 业内领先的研发团队，半导体研发“梦之队”

技术基因源自全球顶尖半导体企业，打造国内 IGBT 领域“梦之队”： 公司成立于 2002 年，依托分销原瑞士日立能源（原瑞士 ABB 半导体） 半导体产品起步，经过二十余年发展，已成为国内领先的功率半导体企业。 2009 年，公司突破性地成为中国北车集团 9600kw 电力机车的 IGBT 功 率模块唯一国内供应商，标志着在高端应用领域的重要突破。 在半导体行业，技术壁垒高、客户认证周期长，在该领域突破并获得 市场认可尤为困难。公司能够快速崛起并斩获高端领域订单，核心优势源 自其深厚的技术积累和国际化的专家团队。创始人项颉在日立能源半导体 瑞士总部 3 年的工作经历，以及随后 20 年的深度合作，为公司打下了深 厚的技术基础和全球化视野。日立能源作为全球电力和自动化技术的领军 企业，特别在 3300V 以上高压和直流输电领域具有显著优势，这一渊源 为公司的技术发展奠定了高起点，也为公司在当前新能源汽车、可再生能 源等战略新兴产业快速发展的背景下抢占市场先机提供了有力支撑。

组建国际顶尖的研发团队，核心成员几乎悉数来自瑞士 ABB 半导体 （现日立能源）。团队汇聚了欧洲和国内的行业精英，核心成员均在功率 半导体领域建树卓著，拥有数十年研发及产业化经验。以 SwissSEM 团 队为例，CEO Roland 先生在 2000 年至 2018 年期间担任 ABB 半导体公 司副总裁及高级管理团队成员；COO Sven 博士发表学术论文 25 篇，拥 有 6 项专利，曾在 ABB 半导体担任中压器件部负责人（2008-2018 年）， 在全球范围内主导新产品开发工作；芯片研发负责人 Lars 博士在功率半 导体领域建树颇丰，已发表 33 篇学术论文，曾任日立能源（原 ABB 半导 体）SiC 研发负责人（2014-2022 年）。这支专家团队贯通了 IGBT 和 SiC 两大技术路线，在产品设计、测试、质量控制等全流程形成了完整的技术 体系。 研发团队的本土化建设同样成效显著。以张强总和梁杰总为代表的中 国团队，均具备在元器件、汽车电子等细分领域的丰富经验，成功打通了 从研发到产业化的关键环节。目前，公司嘉善制造中心员工已超 100 人， 形成了以海外专家引领、本土人才支撑的创新研发格局。这支融合全球顶 尖半导体专家经验与本土产业实践的技术团队，不仅是公司能够在 IGBT、 SiC 等前沿领域持续突破的核心动力，推动公司在第三代半导体等新兴领 域实现新的跨越。

2. 技术积淀深厚，IGBT 与 SiC 双轮驱动破局

功率半导体按照集成度可以清晰地分为两大类：功率器件和功率 IC。 其中功率器件主要用于处理大功率、高电压场景，包括二极管、晶体管和 晶闸管三大类产品，其中晶体管又可细分为 IGBT、MOSFET 和双极型晶 体管等；而功率 IC 则是将高压功率器件与控制电路、接口电路及保护电 路集成在同一芯片上，主要应用于手机等小功率、低电压产品。这种分类 方式遵循了 WSTS（世界半导体贸易协会）的标准，虽然难以完美区分所 有产品类别，但为行业提供了相对清晰的分类框架。在当前市场中，功率 半导体已经成为推动新能源、工业自动化、消费电子等领域发展的关键元 器件，其应用范围从便携设备到工业设备，覆盖了几乎所有电子产品领域。 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是现代功率器件中最具革命性的创新产 品，被业界誉为电力电子领域的“CPU”。作为大功率控制与变换的核心 器件，IGBT 完美融合了双极型晶体管的大电流能力和 MOSFET 的高效 控制特性，在工业传动、新能源发电、电气化交通等关键领域占据着不可 替代的地位。当前主流 IGBT 产品的耐压覆盖 600V 至 6.5kV，满足了从 家用电器到电网传输的广泛应用需求。根据封装形式，IGBT 产品可分为 分立器件和模块化产品：分立型主要服务于中小功率应用，如变频器、光 伏逆变等；模块化产品则主要面向大功率传动系统，如新能源发电、轨道 交通等领域。随着全球能源革命和工业电气化的深入推进，IGBT 的市场 规模和技术创新都在持续突破，展现出强劲的发展势头。

IGBT 作为功率半导体领域的革命性产品，通过其独特的复合结构设 计，巧妙地整合了 MOSFET 和 BJT 的优势特性。在结构设计上，IGBT 采用了创新的层次结构设计思路：上部采用与 MOSFET 相同的 MOS 栅 极结构实现电压控制特性，下部则保留了类似 BJT 的 P+层形成独特的双 载流子传导机制。这种复合结构在工作特性方面实现了多项关键性能的优 化平衡：在驱动特性上继承了 MOSFET 的高输入阻抗电压驱动优势，显 著简化了控制电路的设计复杂度；在导通状态下，通过精心设计的 P+/N+ 结构实现了类似 BJT 的低导通压降特性，确保了大电流工作时的高效率； 特别是在开关性能上，IGBT 在 20kHz 左右的工作频率范围内，找到了功 率损耗和开关速度的最佳平衡点。 这种结构设计使 IGBT 在大功率应用领域确立了独特的优势地位。其 卓越的大电流能力得益于双载流子传导机制，而高输入阻抗特性则大幅降 低了驱动电路的复杂度。通过内置电压特性与低导通压降的巧妙结合， IGBT 实现了大功率应用下的高效率运行，特别适合新能源发电、电动汽 车驱动系统、工业变频器等对功率密度和可靠性要求较高的应用场景。 IGBT 的核心设计思路代表了功率半导体器件的重要发展方向，即在保证控制简单性的同时，最大化电流传导能力。这种基于物理结构的优化设计， 不仅使 IGBT 成为了连接中小功率 MOSFET 应用和超大功率晶闸管应用 之间的关键器件，更为未来功率器件的发展提供了重要的技术思路，也印 证了其在现代功率电子领域不可替代的核心地位。

当前，全球 IGBT 市场形成了以国外厂商英飞凌(Infineon)、三菱 (Mitsubishi)为主导，东芝(Toshiba)、富士电机(Fuji Electric)等企业共 同参与的技术竞争格局。在技术演进路线上，主流厂商已推进至第七代及 以上技术平台，关键性能指标不断突破：芯片设计上采用更窄的沟槽结构 （低于 0.5μm），显著提升了单位面积的元胞密度；器件特性方面，导通 压降降至 1.7V 以下（在 1200V 额定电压产品上），大幅减少了导通损耗； 可靠性设计上，短路耐量提升至 10μs 以上，增强了器件在异常工况下的 安全性。 国内率先实现 IGBT 芯片技术突破的企业之一，赛晶科技已具备接近 国际一流水平的自主研发能力。i20 系列采用第四代沟槽技术，在 1050V/1200V/1700V 平台实现 75A-250A 量产；更具竞争力的是 i23 系 列，采用第七代沟槽技术，结合 TAIKO 技术的超薄基底，成功将 1200V 平台的单管电流提升至 300A，实现了低导通损耗和低开关损耗的性能平 衡，与英飞凌最新一代产品指标处于同等水平（英飞凌 TRENCHSTOP™IGBT7：1200V/300A）。赛晶科技作为国内 IGBT 企业中第一批进军 12 寸晶圆制造的先行者，与行业领先的 12 寸制造工艺接轨，在产品和成本 方面已具备显著优势，特别是在电流密度提升和导通损耗优化方面的突破， 使产品具备极强的可靠性、稳定性和一致性，标志着公司在芯片设计和制 造工艺上已接近国际一流水平。

赛晶科技在 IGBT 领域构建了从芯片到模块的完整技术体系，目前已 建成 2 条 IGBT 模块封装测试产线并实现量产，另有 1 条产线在建。在 模块封装领域，公司已建立起面向工业级和车规级的全系列产品平台：ED 封装系列（1200V/1700V，最大电流 900A）采用直线式优化布局，带来 2 倍的高性能提升，应用于光伏、风电领域；ST 封装系列（1200V/1700V， 最大电流 800A）通过全新的优化设计（专利），提升可靠性和鲁棒性显 著提升，应用于商用车、工业领域；FP 封装（1050V/650A）主要面向工 业和储能应用；EP 封装（1700V，最大电流 200A）采用全桥布局模块， 可靠性和鲁棒性显著提升，可面向自动化和变频领域；BEVD 封装系列 （1200V，最大电流 600A）专门针对电动汽车应用需求设计。这种全方 位的技术布局，结合自研 IGBT 芯片平台，使赛晶能够为不同细分市场提 供最优化的整体解决方案，逐步构建起技术门槛和市场壁垒。截止 2024 年底，赛晶科技目前已建成 2 条 IGBT 模块封装测试产线并实现量产，另 有 1 条产线在建。

在第三代半导体 SiC 赛道，赛晶科技构建了从芯片到模块的完整技术 体系。公司自研的 m23 系列 SiC 芯片，电阻低至 1200V/13mΩ，达到国 际主流企业同等水平，并针对车规级性能需求进行优化设计。在芯片设计方面，采用多项国际前沿设计和工艺：实现芯片边沿至金属层间距仅约 100 微米，元胞间距优化至最小 5.0 微米；采用获得最佳性能的短沟道设 计，配合元胞间的电流扩散注入技术；创新性地采用栅极金属布局连续环 绕芯片周围的设计，结合有源区内多晶硅栅极浇道和连续的铝铜源极焊盘 工艺，使芯片在高温工作条件下展现出极佳的静态和动态特性。在模块封 装领域，形成了面向车规级的产品系列：HEEV 封装（1200V/2-4mΩ）采 用全新的外型设计，外形尺寸较同类产品缩小 50%，并通过散热增强性、 连接电阻、杂散电感降低 40%-50%的优化，主要应用于电动汽车领域； EVD 封装（1200V/2-4mΩ）采用行业标准结构和局部优化设计，满足车 规电动汽车应用需求，同时可应用于光伏领域。基于自研 SiC 芯片平台， 赛晶的模块产品具备极佳的可靠性、稳定性和一致性，为客户提供高性能 的整体解决方案。公司在碳化硅领域的研发投入和技术突破，正逐步缩小 与国际龙头的技术差距，并在性价比方面形成独特优势。 从产业趋势来看，IGBT 和 SiC 作为电力电子装备的“CPU”，在能 源变换与传输中发挥着不可替代的作用。随着新能源汽车、光伏逆变、储 能等应用的快速增长，中国 IGBT 市场规模预计 2025 年将突破 500 亿 元，年复合增长率超过 13%。目前英飞凌等国际厂商在高端市场仍占据 主导地位，国产化率不足 30%，进口替代空间巨大。在 SiC 领域，市场 规模增速更快，预计未来五年将保持 50%以上的年均增速。