雅克科技研究报告:半导体材料平台化布局,受益AI存储和LNG行业高景气.pdf
- 上传者:一鸣惊人
- 时间:2023/07/24
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雅克科技研究报告:半导体材料平台化布局,受益AI存储和LNG行业高景气。全球领先的前驱体供应商,HBM 及存储市场多重因素驱动增长: 半导体前驱体材料主要运用于高端制程的存储芯片和逻辑芯片制造 以及 OLED、光伏、工业领域等。公司是全球前驱体主要供应商,我们 测算 2022 年全球市占率约为 10%。当前存储器市场价格处于底部, 供给格局边际逐步改善,上游材料有望充分受益于存储厂商下一轮景 气周期扩产。前驱体市场需求端有望受益于 AI 及存储市场多因素驱 动:
AI 算力需求激增,拉动高带宽存储芯片 HBM 需求增长:AI 算力 需求指数级增长,HBM 为高带宽需求提供更优解决方案。HBM 相 较传统存储芯片,对材料的单位消耗更高。据测算 2023 年 HBM2e 需求约为 4800 万颗,对应 DRAM 裸片需求约为 3.84 亿片。海力 士、三星等厂商 HBM 订单饱满,近期均新增扩产规划。我们认为, 未来 HBM 出货量伴随 AI 服务器出货量同步扩增,同时 HBM 产品 迭代、堆叠 DRAM 密度提升,前驱体材料用量有望进一步提升。 公司系海力士核心上游供应商,有望充分受益于 HBM 需求弹性。
存储器容量提升伴随制程升级,High-K 前驱体需求提升:随着 DRAM 存储器容量不断提升,内部电容器数量增加,单个电容器尺 寸缩小,电容器沟槽深宽比加大,前驱体用量增加。Dram 存储器 的制程同步升级,高制程产品占比提升,需要更高介电常数的材 料,对应 High-K 前驱体需求增加。
NAND 堆叠层数增加,前驱体用量提升:3D NAND 使用多层垂直堆 叠,密度高,功耗低,在相同尺寸下比 2D 容量更大。由于每一层 NAND 都要薄膜沉积工艺,前驱体用量将同步成倍增长。
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