澜起科技产品布局及优势分析

助力 AI 运力，主流互连产品全布局。

AI 基础设施包括三大核心要素：1）算力，例如 GPU、CPU、AI 加速卡等， 用于处理海量的数据；2）存力，比如 DRAM、NVMeSSD、HBM 等各类存 储介质，为 AI 提供数据支撑；3）运力，负责数据在算力和算力、存力和存 力、算力和存力之间的传输，在算力和存力快速发展的同时，对运力提出了 更高的要求，需要更多的互连芯片为 AI 基础设施提供强大的运力，以实现 更快、更稳定的数据的传输。澜起聚焦运力，助力 AI 时代。

澜起互连产品和计算产品双布局，目前营收和利润来源主要是互连产品，也 是公司中短期快速成长方向。

互连产品： 1）DDR4 和 DDR5 相关内存互连产品： DDR4 世代：RCD/DB 芯片。 DDR5 世代：传统内存接口芯片 RCD/DB，内存模组配套芯片 SPD、PMIC、 TS，服务器新型内存模组 MRDIMM 配套的接口芯片 MRCD/MDB，PC 新 型内存模组 CUDIMM/CODIMM 配套的接口芯片 CKD。 2）其他互连产品：PCIe4.0 Retimer，PCIe 5.0 Retimer，CXL MXC 芯片。 计算产品： 1）津逮服务器 CPU：2023 年已发布第四代津逮®CPU 以及第五代津逮 ®CPU。 2）AI 芯片：开展了第一代产品工程样片的相关测试及验证工作，在相关应 用平台进行业务适配，并陆续向潜在客户送样及收集反馈意见。

内存条标准迭代变化和相应 CPU 平台发布，影响公司内存产品的更新迭代。 1）电脑新增 CUDIMM/CSODIMM/CAMM2 模组：电脑分为台式机和笔电， 台式机主要是采用内存条（UDIMM 为主），笔电约 50%采用板载内存 （LPDDR），50%采用内存条 SODIMM。目前随着 DDR5 颗粒的传输速率 在 6400MT/s 及以上时，将使用 CUDIMM/CSODIMM，搭配一颗内存接口 芯片 CKD、1 颗 SPD 和 1 颗 PMIC，新增量为 CKD，持续关注 24 年 Intel 支持 DDR5-6400 的 CPU 平台 Arrow Lake 的发布和上量节奏。 因 SODIMM 的缺陷（如速度提升到 6400MT/s 以上有难度），23 年底 JEDEC （内存标准制定的协会）明确 CAMM2 内存模组标准，CAMM2 可兼具 LPDDR 的高速低功耗和 SODIMM 的可插拔可升级，使用 DDR5 颗粒的为 CAMM2，使用 LPDDR5 颗粒的为 LPCAMM2，持续关注 CAMM2 对 SODIMM 和板载 LPDDR 的替代趋势。从相关芯片的使用来看，CAMM2 需 要使用 1 颗 SPD、1 颗 PMIC 和 1 颗 CKD，LPCAMM2 需要 1 颗 SPD 和 1 颗 PMIC。 2）服务器新增 MRDIMM 模组：此前服务器内存条是 RDIMM 和 LRDIMM， DDR5 世代推出速度 8800MT/s 的内存模组 MRDIMM，将使用全新内存接 口芯片，1 颗 MRCD 和 10 颗 MDB，全新增量，Intel 支持 MRDIMM 的 CPU 平台 Granite Rapids 预计 24Q3 推出。

在 DDR4 世代，公司主要聚焦内存接口芯片 RCD 和 DB，在 DDR5 世代除 了内存接口芯片 RCD 和 DB，澜起携手合作伙伴拓展到内存模组配套芯片 SPD、TS 和 PMIC，同时行业内存模组的升级迭代又带来了新型内存接口芯 片 CKD、MRCD、MDB 的全新机遇，公司在 DDR5 相关产品的市场空间进 一步打开，同时新品 PCIe5.0 Retimer、CXL MXC 进一步打开中长期的成长 空间。

DDR5 互连产品全覆盖，提供 AI 时代的运力解决方案。 在 DDR4 世代，2020 年澜起份额 44%，DDR5 世代公司内存相关产品的技 术和推出速度仍处于领先地位，是全球唯二可以提供 DDR5 接口和配套芯 片全系列产品的供应商之一，预计份额继续保持 40%+。 除了传统的 DIMM 模组上的内存接口芯片和内存模组配套芯片外，澜起的 新品：应用在 AI 服务器上的新品 MRCD/MDB、PCIe Retimer 芯片和 CXL MXC 芯片，应用在 AI PC 上的 CKD 芯片，均将提升 AI 服务器、AI PC 的 运力，帮助传输算力和存力需要的数据，公司有望充分受益 AI 浪潮。从产 品布局看，澜起主流互连芯片全布局，产品覆盖度最高，经过多年布局，公 司 AI 新品 24 年开始陆续进入收获期。

目前行业整体预期 24 年中 DDR5 边际渗透率达到 50%，从短期来看，除了 行业层面 DDR5 的渗透外，持续关注公司新品 CKD、MRCD、MDB、PCIe retimer 的放量，重点跟踪： 1）DDR5 内存接口芯片的子代升级，目前第二子代产品上量，支持第三子代的 Sierra Forest 已在 24 年 6 月发布，持续关注后续上量，Granite Rapids 既支持 DDR5 第三子代内存条、同时支持 MRDIMM，预计在 24H2 推出。 2）支持 MRDIMM 和 CUDIMM/CSODIMM 的 CPU 平台发布及新模组的长 期渗透率，MRDIMM 渗透带来的内存接口芯片市场空调弹性大，重点关注。 目前预期 Intel 支持 MRDIMM 的 CPU 平台 Granite Rapdis 预计 24Q3 推出， 需要 CKD 芯片 Intel CPU 平台 Arrow Lake 预计 24H2 推出。 同时关注 PCIe 5.0 Retimer 在 AI 服务器的使用情况及渗透率。 3）仅 X86 架构 CPU 使用内存条，持续关注 ARM 架构在 PC 和服务器市场 的渗透，以及板载内存 LPDDR 在笔电中的使用情况。 4）中长期关注 CAMM2 模组的渗透情况和 CXL 技术标准的市场接受度。

内存接口芯片技术和市场门槛高，新玩家难以进入。1）模数混合电路， 技术壁垒+专利壁垒。内存接口芯片属于高性能、高速、非线性模拟及数 模混合电路，产品研发难度大，需要长期积累知识产权和设计研发经验。 另外关键和基础专利已被行业龙头拥有，新玩家不仅需要长时间积累相 关技术能力，还要能够不侵犯他人专利。2）商业准入门槛壁垒。DRAM 不断迭代，新玩家需及时获得 JEDEC 相关标准的最新进展，并在产品开 发早期就要和主流 CPU 及内存厂商进行密切的技术交流；最后，产品研 发出来之后还需经过主流 CPU、内存模组和系统厂商严格测试验证才能 导入客户，新玩家面对的下游客户和合作伙伴都是行业龙头公司，商业 准入门槛高。因此该产品的研发及验证导入周期冗长，新玩家如果现在 进场研发目前行业龙头已认证完毕的子代产品，假设其最终能够完成客 户导入，相关产品也已进入生命周期尾声，因此即便有新玩家从现在开 始布局，也很难在中短期内对竞争格局产生实质影响。

市场集中度不断提升，三大玩家格局稳定。DDR2 阶段，内存接口行业 的参与者超过 10 家，DDR3 阶段行业主要参与者明显减少，DDR4 阶 段，在全球范围内从事研发并量产服务器内存接口芯片的主要包括澜起 科技、瑞萨（2019 收购 IDT ） 和 Rambus，三足鼎立局势确立；目前 DDR5 竞争格局与 DDR4 世代类似，全球只有澜起、瑞萨、Rambus 可 提供 DDR5 第一子代的量产产品。DRAM 不断迭代，在同一代 DRAM 中还有子代的迭代，公司需要有强大研发能力、快速响应能力才能在激 烈的竞争中脱颖而出。

DDR5 世代，澜起科技布局全面、进度领先，MRCD、MDB、CKD 在 2024 年进入收获期。 1）在传统的 DDR5 内存条使用的产品领域，目前仅瑞萨（IDT）、澜 起科技可提供 RCD+DB+PMIC+SPD+TS 的 DDR5 模组全套产品，其中 内存接口芯片 RCD、DB 是澜起自研，SPD 与聚辰股份合作，PMIC 和 TS 与台湾致新科技合作。而目前 Rambus 仅可提供 RCD+SPD+TS， PMIC 在研，配套芯片方面，目前澜起科技、瑞萨是 SPD 和 TS 主要 供应商，而 PMIC 竞争对手更多，有瑞萨、澜起、TI、MPS 等等。 2）在新型内存条 MRDIMM、CUDIMM/CSODIMM 领域，新的增量芯 片 MRCD、MDB 和 CKD，目前仅澜起和瑞萨提供，Rambus 暂未推出 相关产品。 MRCD/MDB：Intel 支持 MRDIMM 的 Intel CPU 平台 Granite Rapids 预 计 24Q3 推出，目前搭配澜起 MRCD/MDB 芯片的 MRDIMM 已在境内 外主流云计算/互联网厂商开始规模试用，2024Q1，澜起 MRCD/MDB 芯片单季度销售额首次超过 2000 万元，2024Q2 收入超过 5000 万元， 环比快速成长。澜起牵头制定 MDB 芯片国际标准，研发进度行业领 先，产品有竞争力。持续关注的 Granite Rapids 发布和后续在下游的渗 透率。 CKD：Intel 支持 DDR5-6400 的 CPU 平台 Arrow Lake 预计在 24 年下半 年发布，澜起在 2024 年 4 月在业界率先试产 CKD，Q2 开始规模出 货，Q2 收入超过 1000 万元，目前主要是下游内存模组厂商的备货需 求，预计随着 Arrow Lake 平台的上市，CKD 芯片将继续快速上量。

参与标准制定，前瞻布局，取得先发优势。仅内存模组需要内存接口芯 片和内存模组配套芯片，而内存模组的内存颗粒通常都是采用最先进的 DRAM，以满足服务器、PC 的性能要求，因此内存接口芯片和内存模组 配套芯片随着 DRAM 更新不断换代。内存接口厂商不仅需要跟上行业迭 代，甚至还需超前布局，才能在新一代产品来临时，快速抢占市场、取 得先发优势。

1）技术领先。DDR4 世代，公司发明的 DDR4 全缓冲“1+9”架构被 JEDEC 国际标准采纳，公司也是在 DDR4 世代成为行业领先者。DDR5 世代，“1+9”架构演化为“1+10”架构继续为 JEDEC 采纳。 2）参与标准制定。2020 年公司董事长兼 CEO 杨崇和博士被 JEDEC 授 予“杰出管理领袖奖”，成为该奖项的全球首位获奖者。2021 年澜起科技 入选了全球微电子行业标准制定机构 JEDEC 董事会，目前是国内唯一 入选 JEDEC 董事会的芯片公司、目前澜起科技在 JEDEC 下属的三个 委员会及分会中担任主席职位，深度参与 JEDEC 的标准制定，在 2021 年牵头制定 DDR5 子代内存接口芯片（RCD/DB）标准，并积极参与 DDR5 内存模组配套芯片、CKD 芯片和 MCR RCD/DB 芯片的标准制 定。 3）前瞻布局，产品研发进度业界领先： 2021Q4 DDR5 第一子代产品开 始出货，2023Q3 第二子代开始规模出货，2023 年 10 月在业界率先试 产 DDR5 第三子代 RCD 产品，2024 年 1 月推出第四子代 RCD，预计 2024 年公司 DDR5 第二子代及第三子代 RCD 芯片出货量显著增加，其 中 DDR5 第二子代 RCD 芯片出货量预计在 2024 年上半年超过第一子代 产品，DDR5 第三子代 RCD 芯片预计从 2024 年下半年开始规模出货。 子代升级有助于公司保持高毛利率。